КРИВОРОЖСКИЙ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЙ ЗАВОД им В. И. Ленина, крупное предприятие чёрной металлургии СССР. Находится в Кривом Роге Днепропетровской обл. УССР. Стр-во началось в 1931 на базе жел. руд Криворожского железорудного бассейна. До Великой Отечеств. войны 1941-45 были введены 3 доменные печи и бессемеровский цех в составе 2 конвертеров. В начале войны часть оборудования завода была эвакуирована на Урал. Во время нем.-фаш. оккупации города (15 авг. 1941- 22 февр. 1944) завод был разрушен. После войны восстановлен, реконструирован и расширен. Введены в строй новые цехи и мощные металлургич. агрегаты: 4 доменные печи, в т. ч. одна объёмом 2700 м3. Строится (1973) домна объёмом 5000 м3. Имеются 2 кислородно-конвертерных цеха. Завод оснащён мощным прокатным оборудованием. Производств. процессы в значит. мере механизированы и автоматизированы. В 1960 заводу присвоено имя В. И. Ленина. Награждён орденом Ленина (1971) и орденом Трудового Красного Знамени (1939). Н, В. Ткачук.
 
 

КРИВОШЕЕВ Илья Петрович (Илька Морыця) [19(31).7.1898, хутор Маяк, ныне Лопатинского р-на Пензенской обл., - 11.9.1967, с. Ичалки, Мордовская АССР], мордовский советский поэт. Окончил Саратовский ун-т (1927). Первые стихи опубл. в 1923. Один из зачинателей морд. сов. литературы, К. внёс значит, вклад в развитие морд. стихосложения. Ему принадлежат сб-ки стихов "Голос народа" (1943), "Мой путь" (1946), "Весенний сад" (1952), "Моя Родина" (1954) и др., лирико-эпич. поэмы "Ленин среди нас" (1939), "Ведёт к победе" (1963) и др.

Соч. в рус. пер.: Избранное, Саранск, 1955.

Лит.: Васильев Л., Спасибо тебе, Морыця... О жизни и творчестве И. Криво-шеева, Саранск. 1969.
 
 

КРИВОШЕИН Александр Васильевич [19(31). 7. 1857, Варшава,-28. 10. 1921, Берлин], русский гос. деятель. В 1896 - 1904 зам. нач., в 1904-05 нач. переселенческого управления Мин-ва внутр. дел. Ближайший сотрудник П. А. Столыпина по осуществлению агр. реформы (уничтожение общинного землевладения и насаждение хуторского х-ва), заселению и освоению Сибири и Туркестана. В 1905-06 товарищ главноуправляющего, в 1908-15 главноуправляющий землеустройством и земледелием; в 1906-08 товарищ мин. финансов, управляющий Дворянским и Крестьянским банками. Чл. Гос. совета (с 1906), вначале крайне правый, затем примыкал к земцам. Сыграл значит. роль в отставке премьер-мин. В. Н. Коковцова (янв. 1914) и смещении воен. мин. В. А. Сухомлинова. Попытка К. образовать "пр-во обществ, доверия" была отвергнута Николаем II и привела к отставке К. (окт. 1915). После Окт. революции 1917 - один из организаторов контрреволюционного "Правого центра" в Москве; в 1918 бежал в Киев, где организовал контрреволюц. монархия. "Совета государственного объединения России". В 1920 возглавил в Крыму пр-во ген. П. Н. Врангеля. После ликвидации врангелевщины эмигрировал во Францию.

КРИВОШЕЯ, деформация шеи, обусловленная односторонним натяжением мышц и мягких тканей шеи или искривлением шейного отдела позвоночника; сопровождается неправильным положением головы. К. бывает врождённой, вследствие неправильного внутриутробного развития или родовой травмы, и приобретённой, образующейся после ранения, ожога и т. п. либо в результате воспаления мышц или лимфа-тич. желез шеи и др. При К. голова наклонена в сторону поражённой мышцы, затылок приближается к плечу той же стороны, а подбородок повёрнут и приподнят в противоположную сторону. Движения головы, особенно боковые, значительно ограничены. Если не было своевременного лечения, то к осн. деформации постепенно присоединяются вторичные - асимметрия лица и черепа, деформация позвоночника и т. д. Лечение проводит врач-ортопед.

Лит.: Зацепин С. Т., Ортопедия детского и подросткового возраста, 2 изд.. М., 1956; его же, Врождённая мышечная кривошея, М., 1960 (библ.).

КРИВОШИП, простейшее вращающееся звено кривошипного механизма. К. имеет цилиндрич. выступ - шип, ось к-рого смещена относительно оси вращения К. на величину r, постоянную или регулируемую (рис.).
 
 

КРИВОШИПНЫЙ МЕХАНИЗМ, механизм для преобразования одного вида движения в другой, имеет вращающееся звено в виде кривошипа или коленчатого вала, связанное со стойкой и другим звеном вращательными кинематическими парами (шарнирами). К. м. обычно имеют вращательные и поступательные кинематические пары. К. м. делятся на плоские (с движением всех звеньев в параллельных плоскостях) и пространственные, четырёхзвенные и многозвенные. Наиболее распространённые плоские четырёхзвенные К. м. делятся на три группы: шарнирные четырёхзвенные, кри-вошипно-ползунные, кривошипно-кулисные.

Шарнирные четырёхзвенные К. м. бывают двух видов: двухкри-вошипный для преобразования равномерного вращения одного кривошипа в неравномерное вращение другого (рис. 1,а); частным случаем является шарнирный параллелограмм для передачи вращения с одного кривошипа на другой без изменения скорости (рис. 1,б); кривошип-но-коромысловый К. м., преобразующий вращение кривошипа в качательное движение коромысла (рис. 1, в). Криво-

Рис. 1. Шарнирный четырёхзвен-ник:а - двухкри-вошипный; б - шарнирный параллелограмм; в- кри-вошипно - коромы-словый; 1 и 2 - кривошипы; 3 - шатун; 4 - коромысло.

шипно-ползунные механиз-м ы преобразуют вращение кривошипа в прямолинейное возвратно-поступательное движение ползуна или наоборот, широко используются в поршневых двигателях, насосах, компрессорах, прессах

и других машинах. По расположению кривошипа и ползуна различают К. м. центральные (рис. 2, а) и смещённые (рис. 2,6). Кривошипнокулисные механизмы обычно преобразуют равномерное вращение кривошипа в неравномерное вращательное движение, качательное (рис. 3, а) или возвратно-поступательное (рис. 3, б) движение кулисы. К. м. с качающейся кулисой используют в приводе движения резания металлорежущих станков. В большинстве К. м. имеются т. н. мёртвые положения (см. рис. 2, а), в к-рых передача движения на кривошип невозможна и при выходе из к-рых ведомый кривошип может изменить направление вращения на обратное. Прохождение этих положений в поршневых двигателях обычно обеспечивается инерцией звеньев. При ведущем кривошипе вблизи мёртвых положений К. м. даёт значит. выигрыш в силе, что используется в прессах и др. рабочих машинах для получения больших сил на ползуне. Сложное движение шатунов К. м. иногда используют для привода рабочих органов некоторых машин - тестомесилок, снегопогрузчиков и др.

Кроме плоских четырёхзвенных механизмов, в ряде случаев применяют плоские многозвенные К. м., напр. К. м. для привода неск. шпинделей сверлильной головки, кривошипно-рычажный и кривошипно-коленный механизмы кузнечных прессов, кривошипно-кулисный механизм привода гл. движения поперечно-строгального станка (рис. 4). Пространственные четырёхзвенные К. м. используют для получения качательного движения коромысла вокруг оси, перпендикулярной оси вращения кривошипа (рис. 5). Н. Я. Ниберг.
 
 

КРИВОШИПНЫЙ ПРЕСС, машина с кривошипно-ползунным механизмом, предназначенная для штамповки различных деталей. Рабочей частью (инструментом) К. п. является штамп, неподвижную часть к-рого крепят к столу, подвижную -к ползуну пресса (рис. 1). Ползун перемещается кривошипно-ползунным механизмом (см. Кривошипный механизм). За один оборот кривошипа шатун совершает полный ход, во время к-рого при движении ползуна вперёд происходит штамповка. Усилие К. п. создаётся за счёт крутящего момента, передаваемого кривошипному валу электроприводом. Привод состоит из электродвигателя, маховика, муфты включения, тормоза и понижающей зубчатой передачи, от к-рой вращение передаётся кривошипному валу. Электродвигатель вращает маховик, за счёт силы инерции к-рого на кривошипном валу возникает крутящий момент. Пресс может работать в режиме одиночных ходов, т. е. с выключением муфты после каждого полного хода, или в автоматич. режиме, когда муфта включена постоянно. Важнейшие характеристики пресса, в совокупности определяющие его технологич. возможности, - размеры стола, ход ползуна, номинальное усилие, число ходов ползуна в минуту в автоматич. режиме. К. п. различных конструкций используют для объёмной и листовой штамповки (см. Объёмная штамповка, Листовая штамповка).

К К. п. для объёмной штамповки относятся горизонтально-ковочные машины, холодновысадочные автоматы (см. Кузнечно-штамповочный автомат), чеканочные прессы, горячештамповочные и нек-рые спец. прессы. Горячештамповочные К. п. (рис. 2, а) отличаются быстроходностью, обладают высокой жёсткостью конструкции, к-рая необходима для снижения упругих деформаций и получения точных размеров поковок. Такие прессы строят с номинальным усилием до 100 Мн (10 000 тс).

К. п. для листовой штамповки разделяются на прессы простого, двойного и тройного действия и листоштамповоч-ные автоматы. Прессы простого действия предназначаются для вырубки, гибки, неглубокой вытяжки и имеют один ползун, приводимый одним, двумя или четырьмя кривошипами. Прессы простого действия, применяемые взамен спец. обрезных прессов, служат также для обрезки поковок. На прессе двойного действия производят вытяжку. Особенностью такого пресса является наличие двух ползунов: наружного, служащего для вырубки и прижима заготовки, и внутреннего - для вытяжки. К. п. тройного действия имеет три ползуна. На нём выполняют особо сложную вытяжку. К. п. для листовой штамповки (рис. 2,6, в) строят со стойками, расположенными сзади стола, - открытые (номинальное усилие до 4 Мн, или 400 тс) и со стойками, находящимися сбоку стола, - закрытые (номинальное усилие до 40 Мн, или 4000 тс).

Многие К. п. имеют различные конструктивные приспособления, позволяющие механизировать и автоматизировать некоторые операции (напр., съём поковок на горячештамповочных прессах, подача заготовок, удаление отходов и др.).

Лит.: Игнатов А. А., Кривошипные горячештамповочные прессы, М., 1953; Эксплуатация горячештамповочных прессов, М., 1963; Магазинер В. В., Тынянов В. Н., Филькин И. Н.. Эксплуатация однокривошипных прессов простого действия. М.. 1964. В. В. Магазинер.

КРИВОШЛЫКОВ Михаил Васильевич [21.11(3.12). 1894, хутор Ушаков, ныне Кривошлыков Ростовской обл., - 11.5. 1918, хутор Пономарёв Донской обл.], герой Гражд. войны 1918-20 на Дону. Род. в семье казака-кузнеца. В 1917 на фронте в чине прапорщика командовал сотней. Был избран пред. полкового казачьего к-та и чл.к-та 5-й Донской казачьей дивизии, являлся одним из организаторов революц. казачества. В янв. 1918 на съезде в станице Каменской был избран секретарём Донского казачьего военно-революц. к-та. С февр. 1918 секретарь Донскогообл.ВРК. С апр. 1918 чл. ЦИК и нарком Донской сов. республики, входил в Чрезвычайный штаб обороны Донской республики. По заданию Донского ЦИК 1 мая 1918 направился с отрядом Ф. Г. Подтёлкова в сев. округа Дона для организации борьбы с контрреволюцией. Отряд был предательски захвачен белоказаками; 78 чел. расстреляны, а К. и Подтёлков повешены.
 
 

КРИВЧЕНЯ Алексей Филиппович [р.30.7(12.8).1910, Одесса], русский советский певец (бас), нар. арт. СССР (1956). В 1938 окончил Одесскую консерваторию по классу В. А. Селявина. В 1938-49 пел в оперных театрах Ворошиловграда, Днепропетровска, Новосибирска. С 1949 солист Большого театра (Москва). Муз. и сценич. одарённость, мастерство перевоплощения позволяют артисту создавать психологически глубокие образы. Среди лучших партий: Иван Хованский ("Хованщина" Мусоргского, Гос. пр. СССР, 1951), Кончак ("Князь Игорь" Бородина), Фарлаф ("Руслан и Людмила" Глинки), Дон Базилио ("Се-вильский цирюльник" Россини), Комиссар, Ткаченко ("Повесть о настоящем человеке" и "Семён Котко" Прокофьева). К. выступает как концертный певец. Снимался в кино. Неоднократно гастролировал за рубежом.

Лит.: Полякова Л., Алексей Крив-ченя, "Советская музыка", 1956. № 5.

В. И. Зарубин.
 
 

КРИДА ТЕЛЕГРАФНЫЙ АППАРАТ (по имени канад. физика Ф. Крида, F. Creed; 1871-1957), пишущий телеграфный аппарат, автоматически работающий от перфорированной ленты, на к-рую текст телеграммы наносится знаками Морзе кода. В кон. 40-х гг. 20 в. К. т. а. были заменены буквопечатающими телеграфными аппаратами.
 
 

КРИЖАНИЧ (Krizanic) Юрий (ок. 1618, Обрх, близ Горицы, - 12.9.1683, близ Вены), представитель науч. и обществ. -политич. мысли славян 17 в., писатель. По национальности хорват. Получил богословское образование в Загребе, Бо-лонье, Риме. Был священником-миссионером, состоял на службе ватиканской конгрегации пропаганды веры. Много путешествовал по Европе (Вена, Варшава и др.). Пропагандировал идею "славянского единства". В поисках конкретных путей культурного и политич. возрождения славян предлагал,в частности, унию православной и католич. церкви. Гл. роль в сплочении славян отводил Русскому гос-ву, к-рое посетил впервые в 1647. Прибыв в Москву в 1659, по неизвестной причине был сослан в 1661 в Тобольск. В 1676 получил разрешение выехать из России. К. обладал энциклопедич. знаниями: его соч. (из к-рых большинство было опубликовано лишь в 19 в.) включают трактаты по философии, политэкономии, истории, музыке.К. объяснял развитие общества с позиций провиденциализма, полагая, однако, что божественный промысел определяет лишь коренные повороты в истории. Всемирную историю понимал как процесс, в ходе к-рого одни народы приходят в упадок, а другие достигают расцвета. В отличие от меркантилистов (см. Меркантилизм), видел богатство гос-ва в обществ. произ-ве и его продуктах, а не в деньгах. К. предпринял попытку создания "общеслав. языка" и использовал его в своих книгах. Одним из первых К. подверг критике летописные легенды о "призвании варягов" на Русь, дарах Мономаха, показал тенденциозность совр. ему иностр. соч. о России (А. Олеарий, П. Петрей и др.). В политич. статьях доказывал необходимость упрочения связей Украины с Россией. В соч., написанных в ссылке,- "Политика" (1663-66), "Об божием смотрению" (1666-67), "Толкование исторических пророчеств" (1674)- подвергнуты критике различные стороны жизни современного К. русского общества и выдвинута программа преобразований в Московском гос-ве, основанная на анализе экономич. положения и внутр. политич. обстановки. Для усиления могущества России К. считал необходимым укрепить централизованный гос. аппарат, реформировать армию, законодательно закрепить права всех сословий рус. общества, освоить новые виды с.-х. и пром. произ-ва, перестроить организацию внеш. и внутр. торговли. Исходя из намеченной программы возрождения славянства, К. требовал усиления активности России на юго-зап. рубежах, выступал против её борьбы за выход к Балт. морю. В целом программа К. была направлена на укрепление абсолютной монархии и соответствовала интересам служилого дворянства. Идеологич. оболочкой классовых требований дворянства являлся также и декларированный К. принцип "всеобщего блага" и "всеобщей справедливости".

Соч.: Русское государство в половине XVII в. Рукопись времен царя Алексея Михайловича, в. 1 -[6], М., 1859-60; Собр. соч., в. 1-3, М., 1891-93; О промысле, М., 1860; Политика, [рус. пер.], М.. 1965.

Лит.: Вальденберг В. Е., Государственные идеи Крижанича, СПБ. 1912; Дацюк Б. Д., Ю. Крижанич, [М.]. 1946; Пичета В. И., Ю. Крижанич и его отношение к Русскому государству, в кн.: Славянский сборник, [М.], 1947; Гольд-берг А. Л., Ю. Крижанич о русском обществе середины XVII в., "История СССР", 1960, № 6; Мордухович Л. М., Философские и социологические взгляды Ю. Крижанича, "Краткие сообщения Института славяноведения АН СССР", 1963, № 36; J а-gic V., Zivot i rad J. Krizanica, Zagreb, 1917; Gо1dbеrg A., Juraj Krizanic i Rusija, "Historijski zbornik, [t.] XXI - XXII", Zagreb, [1971]; Golub J., Zivot i djelo Jurja Krizanica, "Encyklopedia moder-na",Zagreb, 1972, № 18. А. Л. Гольдберг.

КРИЗИС (от греч. krisis - решение, поворотный пункт, исход), переломный момент, тяжёлое переходное состояние, обострение, опасное неустойчивое положение. См. Аграрные кризисы, Валютный кризис, Кризис денежно-кредитный, Экономические кризисы, Кризис (мед.).

КРИЗИС (мед.), резкий перелом в течении болезни, сопровождающийся быстрым снижением повышенной темп-ры тела и улучшением состояния больного. К. бывает, как правило, при остро начинающихся заболеваниях с быстрым нарастанием темп-ры (крупозное воспаление лёгких, малярия, возвратный тиф и др.). Сопровождается обильным ("проливным") потом, резкой слабостью, иногда - временным падением сердечной деятельности. К.- противоположность постепенного угасания болезненного процесса и спадения темп-ры - лизиса. От К. отличают т. н. ложный К., или псевдокризис, при к-ром происходит лишь временное снижение темп-ры и улучшение состояния больного. Критич. падение темп-ры может наступить и в результате удаления из организма гнойного очага или введения мощных антимикробных препаратов.
 
 

КРИЗИС АГРАРНЫЙ, см. Аграрные кризисы.
 
 

КРИЗИС БИРЖЕВОЙ, массовая распродажа акций и облигаций на фондовой бирже, вызванная погоней за наличными деньгами. Порождается кризисами перепроизводства или политич. потрясениями и проявляется в резком падении курсов ценных бумаг и значит. сокращении их эмиссии. См. также Кризис денежно-кредитный.
 
 

КРИЗИС ВАЛЮТНЫЙ, см. Валютный кризис.
 
 

КРИЗИС ДЕНЕЖНО-КРЕДИТНЫЙ, нарушение сбалансированности кредитно-денежной системы капитализма, выражающееся в резком сокращении коммерч. и банковского кредита, массовом изъятии вкладов и крахах банков, погоне за наличными деньгами и золотом, падении курсов акций и облигаций, резком повышении нормы процента. К. Маркс различал циклические и специальные К. д.-к. Первые являются предвестниками экономич. кризисов перепроиз-ва, развиваются на их основе и, в свою очередь, ведут к их обострению. Вторые возникают независимо от экономич. кризисов под влиянием особых причин, напр. таких, как хронич. бюджетный дефицит, война, неурожай и др.

Симптомы циклич. К. д.-к. развиваются и проявляются в ходе общих экономич. кризисов, характерное для последних перепроиз-во товаров обусловливает трудности их реализации, создаёт препятствия для превращения капитала из товарной формы в денежную. Задержки в реализации товаров вызывают ден. голод. Возникающий в этих условиях напряжённый спрос на кредит не удовлетворяется, т. к. банки, стремясь поддержать свою ликвидность, ограничивают его и повышают ссудный процент. Задержки в реализации товаров и поступлении ден. выручки влекут за собой многочисл. неплатежи. Массовые банкротства предприятий вызывают цепную реакцию массовых банкротств банков. В атмосфере всеобщего недоверия, когда кредит подорван и поколеблено доверие к кредитным деньгам, острые формы принимает погоня за наличными деньгами, происходят массовые изъятия вкладов из банков. В ходе К. д.-к., к-рые протекали в условиях существования золотого стандарта и свободного размена кредитных денег на золото, массовые банкротства банков и рост недоверия к кредитным деньгам вызывали всеобщую погоню за золотом.

В эпоху общего кризиса капитализма, уже после 1-й мировой войны 1914-18, а особенно после 2-й мировой войны 1939-45, течение К. д.-к. во многом изменилось. Это выражается прежде всего в менее чёткой их периодичности под влиянием таких специфич. факторов, как огромный рост правительственных затрат, усиление гос.-монополистич. вмешательства в экономику, ликвидация золотомо-нетного стандарта и переход к бум. деньгам и др. В совр. империалистич. гос-вах правительственные затраты, идущие в основном на оплату воен. заказов и гос. закупки различных видов товаров, позволяют лишь на время отодвинуть наступление экономич. кризиса и смягчить проявление ден. голода. Этому содействует также развитие ряда новых отраслей пром-сти (электронной, химии полимеров и др.), стимулирующих поддержание хоз. активности.

Спец. К. д.-к., как писал Маркс, могут возникнуть "...самостоятельно... Это такие кризисы, центром движения которых является денежный капитал, а непосредственной сферой - банки, биржи, финансы" (Маркс К. и Энгельс Ф., Соч., 2 изд., т. 23, с. 149, прим.). В эпоху общего кризиса капитализма спец. К. д.-к. вылились в основном в форму валютных кризисов, к-рые не носят циклического характера. Эти кризисы обусловлены расстройством ден. обращения и хронич. кризисом платёжных балансов капиталистич. гос-в. К ним относятся мировой валютный кризис 1931-33 и мировой валютный кризис кон. 60-нач. 70-х гг., вызванный хронич. дефицитностью платёжных балансов империалистич. гос-в и кризисом ведущих империалистич. валют - доллара и фунта стерлингов.

Девальвация доллара США на 7,89% (дек. 1971) и на 10% (февр. 1973) повлекла за собой массовую девальвацию валют стран - членов Междунар. валютного фонда (МВФ), ревальвацию валют нек-рых стран (ФРГ, Японии и др.). Офиц. цена золота поднялась с 35 до 38 долл. за тройскую унцию в дек. 1971 и 42,22 долл. в февр. 1973, а на свободных рынках она достигла 70 долл. (авг. 1972) и 130 долл. (июнь 1973). С июня 1972 Великобритания и большинство стран стерлинговой зоны, с янв. 1973 Швейцария, с марта 1973 страны "Общего рынка" ввели "плавающие" курсы валют. Т. о., развитие совр. валютного кризиса ярко обнаруживает и другую особенность спец. К. д.-к., отмеченную Марксом, а именно то, что, возникнув вне связи с экономич. кризисом перепроиз-ва, они затрагивают промышленность и торговлю путём обратного отражения (см.. там же).

Лит.: Маркс К., Капитал, т. 1, 3 Маркс К. и Энгельс Ф., Соч., 2 изд. т. 23, гл. 3; т. 25, ч. 1 и 2; Б р е г е л ь Э. Я. Денежное обращение и кредит капиталисти ческих государств. М., 1950. гл. 10; е г о же Политическая экономия капитализма, 2 изд. М., 1968; Политическая экономия, [под ред Г. А. Козлова], 2 изд., т. 1, М., 1969, гл. 18 А. Б. Эйделънант
 
 

КРИЗИС КОЛОНИАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ИМПЕРИАЛИЗМА, см. в статьях Колониальная система империализма, Общий кризис капитализма.

КРИЗИС ФИНАНСОВЫЙ, глубокое расстройство системы гос. финансов. Типичен для большинства совр. империалистич. гос-в и в первую очередь для США и Великобритании. Проявляется в хронич. бюджетном дефиците, к-рый вызывает инфляцию и расшатывает гос. кредит и налоговую систему. Является неизбежным результатом роста милитаризма и непрекращающейся гонки вооружения. Хронич. бюджетный дефицит связан также с расходами гос. бюджета по регулированию движения капиталистич. цикла. Рост бюджетного дефицита вызывает огромное увеличение гос. долга, а уплата процентов по гос. долгу, в свою очередь, обременяет бюджет и увеличивает его дефицит. Связанная с бюджетным дефицитом угроза инфляции подрывает гос. кредит. Банки, корпорации и страховые компании раскупают новые выпуски гос. займов, пока нет признаков инфляции и не повышается уровень учётного процента. Напряжённое состояние гос. бюджета и гос. кредита неизбежно влечёт за собой рост налогов, который ведёт к снижению реальной заработной платы и ухудшению положения трудящихся и тем самым подрывает один из источников доходов гос. бюджета. Налоговое перенапряжение лимитирует дальнейший рост гос. долга. Развитие этих процессов может привести к превращению империалистич. гос-ва в roc-во-банкрот. А. Б. Эйделънант.

КРИЗИСЫ ПЕРЕПРОИЗВОДСТВА, см. Экономические кризисы.

КРИЗЫ СОСУДИСТЫЕ (от франц. crise - перелом, приступ, припадок), внезапно возникающие временные спастические сокращения сосудов. Выделяют общие и местные (регионарные) К. с. Первые вызывают общее повышение артериального кровяного давления, встречаются при гипертонической болезни, феохромоцитомах и др. Регионарные обусловливают нарушения кровоснабжения отд. органов. Местные К. с. могут распространяться на сосуды мозга, вызывая головную боль, головокружение, потерю сознания, на венечные артерии (стенокардия, инфаркт миокарда), сосуды ног (перемежающаяся хромота), кишечника (колика) и т. д. К. с. могут быть следствием нервного перенапряжения, гормональных нарушений (напр., у женщин в период климакса), резких колебаний метеорологич. факторов (атм. давления и пр.), нек-рых заболеваний головного мозга. Предрасполагают к кризам и любые поражения сосудов. Лечение К. с. - устранение причины, обусловившей их, а также симптоматич. терапия.
 
 

КРИК (Crick) Фрэнсис Харри Комптон (р. 8.6.1916, Нортхемптон), английский физик, специалист в области молекулярной биологии, чл. Лондонского королевского об-ва (1959), почётный чл. Академии наук и искусств США (1962). С 1937, по окончании университетского колледжа в Лондоне, работает в Кембриджском ун-те (с перерывом в 1939-47). Вместе с Дж. Уотсоном установил структуру дез-оксирибонуклеиновой к-ты (ДНК) и объяснил, как происходит копирование её молекул при делении клеток, что составляет основу молекулярной генетики и является одним из важнейших открытий века. Нобелевская пр. (1962; совм. с Дж. Уотсоном и М. Уилкинсом) за открытие молекулярной структуры нуклеиновых к-т и их значения для наследственной передачи признаков и свойств организмов.

Соч.: Of molecules and men, L., 1966: в рус. пер. - К вопросу о генетическом коде, в кн.: Гершкович И., Генетика, М.. 1968.

Лит.: Уотсон Д. Д., Двойная спираль, пер. с англ., М., 1969. А. Н. Шамин.

КРИК (англ. creek), название пересыхающих рек или временных водотоков в Австралии. В сухое время года многие К. распадаются на ряд разобщённых водоёмов.
 
 

КРИКЕТ (англ, cricket), спортивная командная игра с мячом и битами. Родина К. - Англия, где эта игра была известна в ср. века, а с 18 в. стали проводиться офиц. соревнования между крикет-клубами по правилам, сохранившимся в своей основе до наших дней.

Игра проводится на травяном поле (обычно 80x60 м), в середине к-рого устанавливаются 2 "калитки" (выс.67,5сл и шир. 20 см) на расстоянии 20 м друг от друга. Мяч массой 170,5 г, 23 см в вкружности, бита напоминает весло длиной не св. 95 см при ширине "лопасти" 6,5 см. Цель игры - разрушить бросками мяча калитку команды противника, игроки к-рой защищают её, отбивая мяч битами (в команде - 11 чел.). К. включает перебежки, выбывания игроков, чем напоминает рус. лапту и широко распространённый в странах Америки бейсбол. Продолжительность игры - несколько часов (по договорённости между командами).

Игра в К. широко распространена в Великобритании, Австралии, Канаде, Новой Зеландии, ряде афр. гос-в, где проводятся нац. чемпионаты, устраиваются междунар. встречи (нек-рые из них стали традиционными, напр. команды Великобритании и Австралии встречаются регулярно с конца 19 в.). В. А. Проедин.

КРИКИ (от англ. creek - ручей, река), название, данное в 17-18 вв. европейцами конфедерации индейских му-скогских племён (см. Мускоги). К. жили на терр. совр. штатов Джорджия и Алабама (США), занимались мотыжным земледелием, охотой и рыболовством. Ко времени европ. колонизации находились на стадии становления раннеклассового общества. Захват земель К. колонизаторами в 1830-х гг. и насильств. переселение К. в Оклахому положили конец их самостоят. развитию. Совр. К. (в 1950 насчитывалось ок. 16,7 тыс. чел.) в значит. мере ассимилированы. Главные занятия - мелкое фермерское х-во и работа по найму. Религ. верования К. в прошлом - культы солнца и огня; после колонизации К. христианизированы.

КРИЛЬ (голл. kriel, букв. - малыш, крошка, мелочь), промысловое назв. планктонных мор. рачков отрядов эв-фаузиевых (роды Thysanoessa н Euphau-sia) и бокоплавов (род Themisto подотряда гипериид). В умеренных и высоких широтах обоих полушарий К. образует скопления гл. обр. в поверхностных слоях воды; служит пищей китов, ластоногих, пелагических рыб, птиц, питающихся планктоном. В зимний сезон К. опускается в придонные слои и служит пищей придонных рыб. В Антарктике начат промысел К. (из него получают кормовую муку, жир, пищевые пасты).

КРИЛЬОН МЫС, южная оконечность Крильонского п-ова на Ю.-З. о. Сахалин, ок. 46° с. ш. и 142о в. д. Омывается прол. Лаперуза. Высокий, обрывистый, соединён с полуостровом узким перешейком.
 
 

КРИМАНЧУЛИ (груз., букв. - извивающийся голос), верхний голос многоголосных нар. песен Зап. Грузии (гурийских, имеретинских), богатый мелоди-ческими скачками и украшениями.

КРИМИНАЛИСТИКА (от лат. criminalis - относящийся к преступлению), наука, разрабатывающая систему спец. приёмов, методов и средств собирания, исследования и оценки суд. доказательств, применяемых в уголовном процессе для предупреждения, раскрытия и расследования преступлений, а также используемых при суд. рассмотрении уголовных, а в ряде случаев и гражд. дел.

Важнейшими разделами сов. К. являются криминалистич. техника, кримина-листич. тактика и методика расследования и предотвращения отд. видов преступлений. Криминалистич. техника представляет собой систему спец. приёмов и науч.-технич. средств по собиранию, фиксации и исследованию доказательств. К этому разделу К. относятся баллистика судебная, трассология, почерковедение судебное, одорология (использование запахов при расследовании преступлений), дактилоскопия и др. Тенденцией развития криминалистич. техники является всё более широкое применение достижений естеств. и технич. наук, использование матем. и статистич. методов, вычислит. аппаратуры, методов газовой хроматографии, спектроскопии и др. На этой основе формируется новая методика исследования почерка, составления "словесного портрета", получения копий в трассологии и т. д. Криминалистич. техника предполагает также технич. вооружённость розыскной и следств. деятельности (спец. аппаратура, оборудование).

Обобщая опыт расследования и предупреждения преступлений, изучая приёмы, применяемые преступниками, а также используя достижения науки в различных областях (физики, химии, биологии и др.), К. разрабатывает криминалистическую тактику - систему приёмов, позволяющих наиболее эффективно использовать возможности каждого следств. и суд. действия и оперативно-розыскных мероприятий с учётом конкретной обстановки по делу. Приёмы криминалистич. тактики широко используются при опознании, проведении следств. экспериментов, обысков и др. следств. действий. Криминалистич. техника и тактика неразрывно связаны, т. к. развитие криминалистич. техники способствует появлению новых тактич. приёмов её применения. Совокупность приёмов, методов и средств, применяемых при расследовании конкретных видов преступлений (убийств, хищений, краж, взяточничества и т. д.), составляет методику расследования отд. видов преступлений (т. н. частная методика). В соответствии с этой методикой определяются последовательность и особенности проведения следств. действий и оперативно-розыскных мероприятий в ходе расследования и суд. разбирательства преступлений той или иной категории, выбираются приёмы и средства криминалистич. техники и тактики и т. д.

К. разрабатывает также вопросы предотвращения и предупреждения преступлений.

Лит.: Криминалистика, М., 1971.

А. И. Винберг.
 
 

КРИМИНАЛИСТИЧЕСКАЯ ЭКСПЕРТИЗА, см. Экспертиза криминалистическая .
 
 

КРИМИНОЛОГИЯ (от лат. crimen, род. падеж criminis - преступление и ...логик), наука, изучающая преступность, её причины, личность преступника, а также разрабатывающая меры предупреждения преступности. Сов. К.- самостоят. отрасль в системе правовых наук, тесно связанная с наукой уголовного права, уголовного процесса, исправительно-трудовым и адм. правом, криминалистикой. К. исследует процессы и явления, с к-рыми связано существование преступности в социалистич. обществе, и разрабатывает на этой основе систему мер общесоциального и спец. предупреждения преступности; намечает пути устранения преступлений; изучает проблемы предупреждения отдельных видов преступлений, преступлений на определённой терр., в определённой среде. Большое внимание сов. учёные уделяют изучению проблем преступности в капиталистич. обществе, кри-тич. анализу антинауч. концепций бурж. К. Используя понятия "преступление", "преступник", "вина", "мотив" и т. п., сложившиеся в уголовном праве, сов. К. применяет конкретно-социологич. методы исследования: анализ статистич. данных и установление корреляц. связей между преступностью и различными социальными процессами; изучение уголовных дел и материалов; опросы, интервью, обследования в целях комплексного изучения личности преступника, условий её формирования и ситуации совершения преступлений; комплексные криминологич. обследования определённых объектов, территорий, контингентов и т. д. При проведении исследований криминологи пользуются также данными демографии, экономики, психологии и др. наук. Преступность и её причины изучаются в их движении с учётом конкретно-ист. условий того или иного периода.

Сов. К. отвергает бурж. концепции прирождённой преступности, биол. предрасположенности к совершению преступлений, решающего влияния на преступное поведение различных психич. аномалий, темперамента и т. п., искажающие социальную характеристику преступности как исторически преходящего социального явления, возникшего в эксплуататорском обществе. В социалистич. обществе, где преступность носит пережиточный характер, биол., половозрастные и иные особенности в определённой степени влияют на формирование личности, но правильное воспитание создаёт равные для всех возможности социально-позитивного поведения.

Система К. включает общую и особенную части. К общей части относятся: предмет и метод К., история; осн. понятия К. и её соотношение со смежными науками; понятие преступности и смежных с ней социальных процессов; криминологич. учение о личности и прогнозе поведения (включая типологию); теория общесоциального и спец. предупреждения преступности, в т. ч. ранней профилактики; проблемы обеспечения режима законности в профилактике, использования методов и данных К. в социальном планировании и прогнозировании. Особенная часть К. включает комплексные проблемы изучения и предупреждения преступлений отд. видов (насильственных, корыстно-насильственных, корыстных и т. д.), преступлений в среде определённых контингентов (несовершеннолетних, "молодых взрослых" и т. д.), рецидивной преступности.

Сов. К. как наука сложилась в 20-х гг., когда практич. органами, университетами, специализированными науч. учреждениями (кабинетами по изучению преступности и преступника) стали проводиться выборочные исследования, был создан Гос. ин-т по изучению преступности и преступника. В 1957-63 система-тич. разработку методики криминологич. исследований для науч. и практич. целей проводил Ин-т криминалистики Прокуратуры СССР, на базе к-рого в 1963 был создан Всесоюзный ин-т по изучению причин и разработке мер по предупреждению преступности. Разработка теоретич. проблем К. ведётся также в ин-тах АН СССР и на юрид. ф-тах многих ун-тов, в ряде ин-тов судебной экспертизы.

В зарубежных социалистич. странах криминологич. исследования получили широкое распространение. Они строятся на тех же теоретич. и методологич. принципах, что и в СССР. Во всех этих странах либо созданы специализированные н.-и. учреждения по К. (напр., Совет криминологич. исследований в Болгарии, Ин-т прокуратуры в Венгрии, Ин-т криминологии при Ген. прокуроре в Чехословакии, Ин-т криминологич. и криминалистич. исследований в Югославии), либо спец. исследовательские подразделения в министерствах и ведомствах. Вопросы К. изучаются на юрид. ф-тах ун-тов всех социалистич. стран.

В бурж. гос-вах К. как самостоят. наука получила развитие с 70-х гг. 19 в. В 18 - нач. 19 вв. просветители, социалисты-утописты, революционные демократы высказывали прогрессивные взгляды на преступность как на явление, связанное с социальным неравенством и требующее поэтому в первую очередь мер социальной профилактики, переустройства общества, однако бурж. К. не восприняла эти взгляды. Она пошла по пути поиска "объяснений" преступности, не затрагивающих сущность капиталистич. строя. Несмотря на различия в концепциях, сформировавшихся в бурж. К., все они направлены на обоснование "вечности" преступности, якобы присущей любому обществ. строю. Лишь в рамках спец. мер борьбы с преступностью исследуются вопросы её профилактики, причём в основном на материалах о преступлениях против личности, кражах, разбоях и т. п.; преступления, совершаемые в гос. аппарате, в сфере бизнеса, изучаются очень мало. По существу бурж. К. подменяет задачу установления причин преступности поиском факторов, влияющих на совершение преступлений конкретными лицами. Для всех течений бурж. К. характерен отказ от "традиционных" мер уголовно-правового характера и замена их "мерами безопасности", "системой социальной защиты" и т. п., значительно расширяющими возможность произвола со стороны полиции и органов юстиции.

Лит.: Болдырев Е. В., Меры предупреждения правонарушений несовершеннолетних в СССР. М., 1964: Герцен-зон А. А., Введение в советскую криминологию. М., 1965; его же. Уголовное право и социология, М.. 1970: Социология преступности (Современные буржуазные теории), М., 1966: Криминология. [Учебник, 2 изд.], М.. 1968; Кудрявцев В. Н.. Причинность в криминологии, M.I 1968: К а р-пец И. И.. Проблема преступности, М., 1969; Орлов В. С., Подросток и преступление, М., 1969; Преступность несовершеннолетних в капиталистических странах, ч. 2, М.. 1970; Яковлев А. М.. Преступность и социальная психология, М., 1971; Сахаров А. Б., Причины преступности и личность преступника в СССР, М., 1961.

Г. М. Миньковский, В. К. Звирбуль.
 
 

КРИММИЧАУ (Crimmitschau), город в ГДР, на р. Плейсе (басс. Эльбы), в округе Карл-Маркс-Штадт. 30,2 тыс. жит. (1970). Старинный центр разнообразного текст. произ-ва; изготовление музыкальных инструментов. Полиграфия, дело.
 
 

КРИНИЦКИЙ Александр Иванович (9.9.1894 - 30.10.1937), советский гос. и парт, деятель. Чл. Коммунистич. партии с 1915. Род. в Твери (ныне Калинин) в семье мелкого чиновника. В 1913 поступил на естеств. ф-т Моск. ун-та; участвовал в студенч. революц. кружках. В 1915 арестован и осуждён на вечное поселение в Сибирь, освобождён Февр. революцией 1917. С марта 1917 пред. Тверского губкома партии. Делегат 7-й (Апрельской) конференции РСДРП(б) в 1917. В 1918 зав. агитпросветотделом Юж. фронта. С 1919 секретарь Саратовского губкома РКП(б). В 1921 зав. орг. отделом МК партии, в 1921-22 секретарь Ро-гожско-Симоновского райкома РКП(б) в Москве. В 1922-24 секретарь Омского, затем Донецкого обкомов партии. В 1925 секретарь ЦК КП(б) Белоруссии. В 1926-29 зав. агитпропом ЦК ВКП(б). В 1929-30 секретарь Закавказского краевого к-та партии. В 1930-32 зам. наркома РКИ. В 1930-35 чл. редколлегии журн. "Большевик". В 1933-35 зам. зав. с.-х. отделом ЦК ВКП(б), нач. политуправления Наркомзема СССР. С 1935 секретарь Саратовского крайкома ВКП(б). Делегат 9-11-го, 13-17-го съездов партии, на 13-16-м съездах избирался канд. в чл., на 17-м - чл. ЦК ВКП(б); был канд. в чл. Оргбюро ЦК ВКП(б).

КРИНИЧКИ, посёлок гор. типа, центр Криничанского р-на Днепропетровской обл. УССР. Расположен на р. Мокрая Сура (басс. Днепра), в 25 км от ж.-д. узла Верховцево (линии на Днепропетровск, Кривой Рог, Пятихатки). Предприятия местной пром-сти.

КРИНИЧНАЯ, посёлок гор. типа в Донецкой обл. УССР. Ж.-д. узел (линии на Углегорск, Ясиноватая, Никитовка, Иловайское). 3-ды по ремонту с.-х. техники, цементный, ремонтно-механичес-кий. Совхоз. Лесопитомник.
 
 

КРИНОИДЕИ, класс беспозвоночных животных типа иглокожих; то же, что морские лилии.
 
 

КРИНОЛИН (франц. crinoline, от лат. crinis - волос и linum - полотняная ткань), нижняя юбка из волосяной ткани, надевавшаяся под платье, чтобы придать ему пышную колоколообразную форму. К. появился во Франции в среде имущего населения в 40-х гг. 19 в. и быстро распространился в др. странах Зап. и Вост. Европы. В сер. 19 в. К. называли также широкую юбку из плотной ткани с вшитыми в неё обручами из стальных полос или китового уса (ширина в подоле достигала 6-8 м). К нач. 70-х гг. 19 в. К. вышел из моды.
 
 

КРИНОЛИН, ограждение в корме речного судна, предохраняющее его руль от повреждения при швартовании, стоянке у причала, проходе через шлюзы и т. п. К. обычно выполняется из деревянных брусьев, вынесенных над рулём на ме-таллич. кронштейнах. Поверх горизонтальных поясов кронштейнов устанавливается настил из досок.

КРИНУМ (Crinum), род луковичных растений сем. амариллисовых. Луковицы с длинной шейкой; дл. их достигает 60-90 см, диаметр - 25 см. Листья мечевидные или линейные, дл. до 1,8 м. Цветоносный побег несёт зонтиковидное соцветие крупных белых или розовых цветков. Плод - коробочка. Семена мясистые, крупные, содержат в эндосперме запас воды, достаточный для прорастания и образования луковицы нового растения без притока влаги извне. Ок. 100-110 (по др. данным, до 150) видов в тропиках и субтропиках, особенно часто на мор. побережьях, по берегам рек и озёр, на почвах, подвергающихся периодич. затоплению. Мн. виды культивируют как декоративные; наиболее распространены С. asiaticum, С. giganteum, С. longifolium, С. moorei, С. X powellii.
 
 

КРИО... (от греч. kryos - холод, мороз, лёд), часть сложных слов, означающая связь со льдом, низкими темп-рами (напр., криогенез, криоскопия, криосфера).
 
 

КРИОБИОЛОГИЯ (от крио... и биология), раздел биологии, изучающий действие на живые системы низких и сверхнизких температур (от О °С до близких к абсолютному нулю). Осн. задачи К. - изучение жизни в условиях холода, выяснение причин устойчивости организмов к переохлаждению и замерзанию, исследование повреждающего действия отри-цат. темп-р и способов защиты клеток и тканей при замораживании. Проблемы К. имеют большое теоретич. значение, т. к. связаны с выяснением нижних температурных границ жизни, механизмов адаптации в естеств. условиях к холоду (см. Морозоустойчивость, Холодостойкость), сущности анабиоза и т. п. Практич. аспекты К. связаны с методами хранения и накопления биол. объектов, лечением с помощью холода (см. Криотерапия), выведением морозоустойчивых сортов растений, изучением зимовки вредителей с. х-ва, с деятельностью человека в полярных условиях и космич. биологией.

Науч. основы К. заложены в кон. 19 в. рус. учёным П. И. Бахметьевым, изучавшим явление переохлаждения у насекомых и анабиоз у летучих мышей. П. Бек-керель (1904-36) и австр. учёный Г. Рам (1919-24) установили способность различных организмов (микроорганизмы, беспозвоночные - тихоходки, коловратки, нематоды), а также спор и семян переносить в высушенном состоянии глубокое охлаждение (до -269 и -271 °С, т. е. до температур, близких к абсолютному нулю). В дальнейшем было показано, что нек-рые растения и животные выживают при замерзании содержащейся в них воды. Напр., такие высокоорганизованные существа, как гусеницы нек-рых бабочек, предварительно закалённые, т. е. адаптированные к холоду, "оживали" после длит. замораживания при -78, -196 и даже -269 °С, когда вода в их теле превращалась в кристаллический лёд. Одна из осн. проблем К. - выяснение процессов, сопровождающих охлаждение живых систем и ведущих к необратимым повреждениям. Причин, вызывающих повреждения при охлаждении и замерзании, много. Большое значение имеет скорость охлаждения и ото-гревания. При медленном охлаждении сначала переходит в лёд вода окружающей клетку жидкости. Это приводит к потере клеткой воды, нарушению солевого равновесия между вне- и внутриклеточной жидкостью, повышению концентрации электролитов в клетке. Нек-рые клетки вследствие этого погибают. Для того чтобы сохранить живыми клетки растений и нек-рые ткани животных, требуется очень медленное охлаждение, при к-ром не происходит резкого изменения концентрации веществ в клетке.

Для неадаптированных к холоду клеток особенно опасно обезвоживание, т. к. возникают контакты внутриклеточных компонентов, к-рые при нормальных условиях разобщены; при этом происходят разрывы одних межмолекулярных связей и образование других, повреждения клеточных мембран и т. д. Подобные явления могут возникать и в случае образования кристаллов льда внутри клетки. Последние образуются обычно при быстром охлаждении (свыше 10 градусов в 1 мин). После окончания процесса охлаждения, при темп-pax выше - 120 оС, начинается рост кристаллов (перекристаллизация, рекристаллизация). Увеличение их размеров особенно значительно при отогревании. Считают, что во время ото-гревания и оттаивания происходят основные повреждения в клетках. Как правило, при образовании внутри клетки кристаллов льда она погибает; однако клетки нек-рых закалённых насекомых и злокачеств. опухолей переносят внутриклеточную кристаллизацию воды.

При сверхбыстром охлаждении со скоростью нескольких сот градусов в 1 сек (такое охлаждение возможно лишь у живых объектов, имеющих микроскопич. размеры) большая часть воды превращается в аморфный лёд, структура к-рого мало отличается от структуры воды. Благодаря этому клетки не повреждаются и выживают независимо от своего происхождения. Но после сверхбыстрого глубокого охлаждения клетки сохраняют жизнеспособность лишь при очень быстром отогревании (за 3-10 сек), при к-ром можно избежать рекристаллизации. На практике этот метод сохранения клеток почти не применим ввиду невозможности сверхбыстрого охлаждения и отогрева-ния более или менее крупных объектов. Для сохранения живых систем в условиях низких темп-р применяют защитные вещества - криопротек-т о р ы. Среди них наиболее известны глицерин, диметилсульфоксид, сахара, гликоли, к-рые способны проникать в клетку, и нек-рые полимерные соединения (поливинилпирролидон, поли-этиленоксид и др.), не проникающие в неё. Криопротекторы ослабляют эффект кристаллизации, изменяя её характер, препятствуют слипанию и денатурации макромолекул, способствуют сохранению целостности мембран клеток. Криопротекторы получили широкое применение в медицине и животноводстве для длит. хранения при низких темп-рах крови, тканей, органов, а также спермы домашних животных, используемой для искусственного осеменения.

Устойчивость мн. наземных организмов к темп-рам ниже О °С сильно изменяется в течение жизненного цикла, связанного с сезонами года. Так, у насекомых и растений сильно повышаются холодоустойчивость и морозоустойчивость при переходе к состоянию покоя (диапау-зы у насекомых и клещей) ещё до наступления морозов. В начале периода покоя при темп-pax немного выше О °С происходят значит. перестройки в обмене веществ и физико-химич, состоянии клеток, повышающие устойчивость организмов (см. Закаливание растений). Накапливаются жиры, гликоген, сахара, образуются защитные вещества, изменяется состояние воды и белков в клетках. Насекомые в зависимости от их экологии приобретают способность сильно переохлаждаться иногда до минус 40 °С или ещё ниже. Нек-рые виды насекомых и растений перезимовывают в замёрзшем состоянии. Хорошо переносят низкие и даже сверхнизкие темп-ры мн. микроорганизмы (бактерии, дрожжи), мхи, лишайники и др. Обычно их холодоустойчивость связана с быстрым обезвоживанием, повышенной вязкостью цитоплазмы, наличием оболочки, препятствующей проникновению кристаллов в клетку, и др. Жизнедеятельность организмов (исключая теплокровных животных) прекращается обычно при темп-pax неск. ниже О °С, но нек-рые процессы обмена веществ могут протекать при темп-рах ок. -20 :°С (напр., дыхание, фотосинтез) и даже ниже. В связи с этим представляет интерес малоизученная биология морских организмов, обитающих на подводных льдах Антарктики.

Проблемам К. посвящены спец. журналы; ежегодно организуются междунар. симпозиумы и конференции криобиологов.

Лит. Рэ Л., Консервация жизни холодом, пер. с франц., М.. 1962; Смит О., Биологическое действие замораживания и переохлаждения, пер. с англ., М., 1963; Клетка и температура среды, М. - Л., 1964; Лозина-Лозинский Л. К., Очерки по криобиологии, Л., 1972; Cellular injury and resistance in freezing organisms, Sapporo, 1967 (Proceedings of the International conference on low temperature science. Aug. 14 - 19, 1966. Sapporo, Japan, v. 2); Cryo-biology, ed. H. T. Meryman, L. - N. Y., 1966; The frozen cell, L.. 1970; Mazur P., Cryobiology. The freezing of biological systems, "Science", 1970, v. 168, № 3934, p. 939. Л.К.Лозина-Лозинский.

КРИОГЕНЕЗ (от крио... и ...генеэ), совокупность физ., хим., биохим. и др. процессов, происходящих в пределах криосферы и сопровождающихся льдообразованием .
 
 

КРИОГЕННАЯ МОРФОСКУЛЬПТУРА, тип морфоскулъптуры, возникающей под влиянием морозного выветривания, нивации, солифлюкции, термокарстовых явлений и др. На аккумулятивных равнинах К. м. обычно представлена буграми пучения, термокарстовыми впадинами, полигональными грунтами; на возвышенностях и в горах - куру-мами, нагорными террасами, структурными грунтами.
 
 

КРИОГЕННАЯ ТЕХНИКА, техника получения и использования криогенных темп-р, т. е. темп-р ниже 120 К.

Осн. проблемы, решаемые К. т.: сжижение газов (азота, кислорода, гелия и др.), их хранение и транспорт в жидком состоянии; разделение газовых смесей и изотопов низкотемпературными методами (напр., пром. получение чистых азота, кислорода и аргона из воздуха; выделение дейтерия ректификацией жидкого водорода и т. д.); конструирование криорефрижераторов - холодильных машин, создающих и поддерживающих темп-ру ниже 120 К; охлаждение и тер-мостатирование при криогенных темп-рах сверхпроводящих и электротехнич. устройств (магнитов, соленоидов, трансформаторов, электрич. машин и кабелей, узлов ЭВМ, гироскопов и т. п.), электронных приборов (квантовых усилителей и генераторов, приёмников инфракрасного излучения и т. д.), биология, объектов; разработка аппаратуры и оборудования для проведения научных исследований при криогенных темп-рах (криостатов, пузырьковых камер и др.).

Применение криогенных темп-р в ряде областей науки и техники привело к возникновению целых самостоят. направлений К. т., напр. криоэлектроники, криобиологии.

Лит.: Фастовский В. Г., Петровский Ю. В., Ровинский А. Е., Криогенная техника, М., 1967; Справочник по физико-техническим основам криогеники, 2 изд., М., 1973.
 
 

КРИОГЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, см. Криоэлектроника.
 
 

КРИОГЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ в вычислительной технике, запоминающие и логич. элементы, действие к-рых осн. на явлении сверхпроводимости. Первые К. э. - криотроны, состоящие из танталового стержня с управляющей ниобиевой обмоткой, - были предложены в 1955 амер. учёным Д. А. Баком. В 1960 были созданы запоминающие К. э. на сверхпроводящей плёнке.

К. э. просты по конструкции, малогабаритны, дёшевы. Ничтожные потери энергии обусловливают целесообразность использования К. э. в запоминающих устройствах очень большой ёмкости, особенно в ассоциативных, при очень малых габаритах и малом потреблении мощности (см. Криоэлектроника).

Л. П. Крайзмер.
 
 

КРИОГЕННЫЙ (от крио... и ...ген), относящийся к низким температурам.
 
 

КРИОГЕННЫЙ НАСОС, конденсационный или сорбционный вакуумный насос, откачивающее действие к-рого основано на поглощении откачиваемого газа поверхностью, охлаждённой до сверхнизких темп-р (ниже 0,5 К). К. н. обеспечивают разрежение в широком диапазоне от 10-1 до 10-5 н/м2.

КРИОЛИТ (от крио... и греч. lithos - камень), минерал из группы природных фторидов, хим. состав Na2NaAlF6. В структуре К. А1 и 1/3Na находятся в центре октаэдров A1F6 и NaF6, а 2/3 Na - в центре полиэдров NaF12. Кристаллизуется в моноклинной системе; кубовидные кристаллы встречаются редко. Обычно образует бесцветные, белые или серые кристаллич. скопления со стеклянным блеском. Тв. по мине-ралогич. шкале 2,5-3,0; плотность 2960-2970 кг/м3. К. встречается в мета-соматически замещённых пегматитах, образуется из обогащённых фтором горячих водных растворов, связанных со щелочными гранитами. Пром. месторождения редки (Ивигтут, в Зап. Гренландии). К. широко применяется в металлургии алюминия, для получения эмали и др. целей. Большую часть К., используемого в пром-сти, получают синтетически [при взаимодействии сульфатов А1 и NaF; при нейтрализации газообразной кремнефтористой кислоты (H2SiF6) гидроокисью алюминия и NaOH и др.]. Минерал назван К. по сходству (блеску и показателю преломления) со льдом. Нек-рые исследователи называют К. также все разновидности льда (лёд, снег, град и др.) или только лёд, как мономинеральную горную породу.

КРИОЛИТОЗОНА (от крио..., греч. lithos - камень и зона), часть криосферы, самый верхний слой земной коры, характеризующийся в течение всего года или хотя бы короткое время (но не менее суток) отрицат. темп-рой почв и горных пород и наличием или возможностью существования подземных льдов. Гл. особенность К.- протекание процессов в интервале темп-р, включающем точку замерзания воды (О °С). В зависимости от частоты перехода темп-ры почв и горных пород через О °С в течение года в К. выделяются слой кратковрем. и сезонного промерзания - протаивания - т. н. активный (или деятельный) слой и многолетняя криолитозона. В активном слое нулевая темп-pa, разделяющая обычно мёрзлое и талое состояния влажных почв, устанавливается 2 раза в год: в начале и конце холодного периода (не считая оттепелей и заморозков) В многолетней К. темп-pa пород ниже или равна О °С в течение не только всего года, но и многих (иногда сотен и даже тысяч) лет. Наряду с многолетнемёрзлыми горными породами и подземными ледяными телами (составляющими в совокупности мёрзлую зону литосферы) многолетняя К. содержит безводные и насыщенные концентрированными растворами горные породы с отрицат. темп-рами, но без ледяных включений.

Нижней границей К. служит изотер-мич. поверхность с темп-рой О °С. Сплошность К. нарушают непромерзающие ядра таликов различного генезиса, имеющие круглый год положит. темп-ру. Пространственно К. охватывает горные сооружения всех континентов, возвышающиеся над снеговой линией, все высотные кли-матич. пояса полярных, субполярных и умеренных широт, а также все широтные климатич. пояса, кроме экваториального и частично тропических и субтропических, где явления промерзания влажных почв или охлаждения ниже О °С сухих песков и трещиноватых скальных пород связаны только с радиационными заморозками и имеют спорадический характер (см. карту к ст. Многолетняя криолитозона).

В обширных материковых областях К. с положит. среднегодовой темп-рой поверхности распространён лишь сезонно-мёрзлый (активный) слой. При отрицат. среднегодовых темп-pax поверхности Земли К. включает и активный слой, и все образования многолетней К. В области распространения многолетнемёрзлых горных пород активный слой наз. сезонно-протаивающим, или сезонноталым; вне ее - сезоннопромерзающим, или сезонно-мёрзлым. На границе области распространения многолетнемёрзлых толщ среднегодовые темп-ры земной поверхности могут отклоняться от О °С, что ведёт к периодическому или эпизодическому формированию и деградации мёрзлых перелетков - зародышей многолетней К. В областях с близкой к 0°С отрицательной среднегодовой темп-рой поверхности Земли многолетняя К. имеет островной характер.

Для полярных, субполярных и высокогорных областей К. характерны криогенные и посткриогенные процессы и явления: криогенное выветривание; криолито-генез; растрескивание и пластическая деформация мёрзлых горных пород; пучение почв и рыхлых пород; вымораживание крупнообломочного материала на поверхность; просадки и термокарст; соли-флюкция и криогенное обрушение пород со склонов; нивация и альтипланация;

усиленная боковая эрозия и абразия льдистых отложений и др. С этими процессами связано образование определённых форм рельефа: экзарационных и нивальных (троги, цирки); гравитационных и солифлюкционных (склоновые террасы, оползни, обвалы, оплывины и др.), экструзивных и форм пучения (та-рыны, гидролакколиты, каменные россыпи); термоабразионных; полигональных; перигляциальных и мн. др.

Термин "К." предложен П. Ф. Швецовым в 1955, хотя необходимость выделения зоны литосферы с отрицат. темп-рой была обоснована раньше, напр. в трудах рус. и сов. учёных Л. Я. Ячевского (1889), М. И. Сумгина (1927), Н. И. Толстихина (1941) и др.

Лит.: Швецов П. Ф., Вводные главы к основам геокрилогии, М., 1955 (Материалы к основам учения о мерзлых зонах земной коры, в. 1); Основы геокриологии, ч. 1, М., 1959; Достовалов Б. Н., Кудрявцев В. А., Общее мерзлотоведение, М., 1967; Попов А. И., Мерзлотные явления в земной коре (Криолитология), М., 1967; Ми11ег S. W., Permafrost or permanently frozen ground and related engineering problems, Ann Arbor, 1947; Теrzaghi K., Permafrost, "Journal of the Boston Society of Civil Engineers", 1952. v. 39, № 1; Сai1leux А., Тауlor G., Cryopedolqgie, etudes des sols geles, P., 1954; Proceedings, International permafrost conference, Wash., 1965. A.A.Шарбатян.

КРИОЛОГИЯ (от крио... и ...логия), наука о криосфере.
 
 

КРИОПАТОЛОГИЯ (от крио... и патология), болезненные состояния и процессы, возникающие в организме под влиянием низких температур. У человека наиболее изучены общие и местные па-тологич. процессы, происходящие при охлаждении и отморожении (см. также Гипотермия ).
 
 

КРИОПЛАНКТОН (от крио... и планктон), совокупность организмов, гл. обр. одноклеточных водорослей, живущих в талых лужах на поверхности льда или снега и в воде, пропитывающей морской лёд. См. Криофилы.
 
 

КРИОСКОПИЯ (от крио... и ...скопия), метод физико-хим. исследования, основанный на измерении понижения темп-ры замерзания раствора по сравнению с темп-рой замерзания чистого растворителя. Согласно Рауля законам, для бесконечно разбавленного раствора (при отсутствии электролитической диссоциации) существует зависимость dtk= = Ек*п, где dtк -понижение темп-ры замерзания раствора, °С; п - концентрация раствора. Коэфф. Ek наз. к р и о-скопической постоянной растворителя. Значение Екдля различных жидкостей различно: напр., для воды оно составляет 1,86, для бензола 5,07, для уксусной к-ты 3,90, для диоксана 4,63, для фенола 7,27. Зная Ек, можно вычислить молекулярную массу М вещества по формуле М =P1*EK*1000/Р2dtk, где P1 и Р2 - соответственно масса растворённого вещества и растворителя в г. Разность темп-р dtK измеряют обычно метастатическим термометром или с помощью термопары. Методом К. могут быть определены значения Ек для веществ с известной мол. массой, а также концентрация вещества в растворе.

Лит.: К и р е е в В. А., Краткий курс физической химии, 4 изд., М., 1969; Справочник химика, 2 изд., т. 3, М.- Л., 1964, с. 485;
 
 

КРИОСТАТ (от крио... и греч. states - стоящий, неподвижный), термостат, в к-ром рабочий узел или исследуемый объект поддерживается при темп-pax менее 120 К (криогенных темп-pax) за счёт постороннего источника холода. Обычно в качестве источника холода (хладоагента) применяют сжиженные или отверж-дённые газы с низкими темп-рами конденсации и замерзания (азот, водород, гелий и др.). Темп-ру помещённого в К. объекта регулируют, изменяя давление паров над заполняющим К. хладоагентом или подогревая пары хладоагента. К. различают: по роду применяемого хладоагента (азотные, гелиевые, водородные и т. д.), по используемым для изготовления материалам (стеклянные, металлические, пластмассовые), по назначению (для радиотехнических, оптических и др. исследований, для сверхпро-водящих магнитов, приёмников излучения и т. д.).

Для К. любого типа необходима защита его рабочего объёма от притока теплоты из окружающей среды. Чем ниже темп-ра кипения и чем меньше теплота испарения используемого хладоагента, тем выше требования к теплоизоляции рабочих узлов К. В К., заполняемых жидким азотом или кислородом, часто используется высоковакуумная теплоизоляция, подобно применяемой в широко известных Дъю-ара сосудах и бытовых термосах. Для гелиевых К. обычная высоковакуумная изоляция уже недостаточна. Поэтому с целью уменьшения притока лучистой энергии от наружных стенок К. необходимо понизить их темп-ру, что достигается охлаждением стенок вспомогат. хладоагентом (напр., жидким азотом) или установкой в теплоизоляционном пространстве защитных экранов, отражающих излучение.

В лабораторной практике широко применяются стеклянные К., они просты в изготовлении и прозрачны, что позволяет непосредственно наблюдать за ходом опыта. Гелиевый стеклянный К. общего назначения (рис. 1) обычно состоит из 2 сосудов Дьюара, вставленных один в другой. Внутр. сосуд заполняют жидким гелием, наружный - жидким азотом. К недостаткам стеклянных К. относится малая механич. прочность.

Надёжны в эксплуатации металлич. К., из к-рых наиболее универсальными являются К. с жидким гелием в качестве осн. хладоагента. На рис. 2 приведена схема металлич, гелиевого К. с дополнит. охлаждением жидким азотом. Гелиевый объём К. окружён со всех сторон медным экраном. В пространстве между гелиевым объёмом и кожухом создаётся глубокий вакуум, к-рый поддерживается в процессе эксплуатации с помощью адсорбента. Для компенсации температурных деформаций, возникающих между внутр. узлами и корпусом, в К. предусмотрен сильфон. Гелиевый объём, азотная ванна и корпус К. изготовляются из меди, нержавеющей стали или алюминиевых сплавов. Поверхности узлов К. со стороны "вакуумного пространства" полируются для отражения теплового излучения.

В металлич. К., предназначенных для оптич. исследований, предусматриваются окна, а также поворотные устройства, при помощи к-рых можно изменять положение образца. Для охлаждения экранов гелиевых и водородных К. вместо жидкого азота используются пары осн. хладоагента. К. широко применяются в криогенной технике.
 
 

КРИОСФЕРА (от крио... и сфера), прерывистая и непостоянная по конфигурации оболочка Земли в зоне теплового взаимодействия атмосферы, гидросферы и литосферы. Характеризуется отрицат. или нулевой темп-рой, при к-рых вода, содержащаяся в К. в парообразном, свободном или химически и физически связанном с др. компонентами виде, может существовать в твёрдой фазе (лёд, снег, иней и др.). Темп-pa О °С (273,15 К) определяет равновесие между химически чистыми льдом и водой при атм. давлении 760 мм рт. ст. вне посторонних силовых полей. В естеств. условиях различные примеси и растворённые вещества, а также поверхностные силы и давление понижают точку замерзания воды, в результате чего в границы К. попадает и жидкая фаза Н2О во временно или устойчиво охлаждённом ниже О °С состоянии (солёные морские и подземные воды, незамёрзшие связанные воды, высоконапорные пресные воды под ледниковыми покровами, переохлаждённые капли воды в облаках и туманах). К. включает также безводные толщи горных пород и относительно сухие возд. массы с отрицат. темп-рой, в к-рых естеств. или искусств, путями могут создаваться условия для конденсации Н2О, а тем самым и формирования её твёрдой фазы.

К. простирается от верх. слоев земной коры до ниж. слоев ионосферы, прерываясь в переменных по мощности сегментах, временно или устойчиво прогретых выше О °С. Ниж. граница совпадает с подошвой слоя мёрзлых и охлаждённых горных пород. Этот слой характеризуется большой устойчивостью и достигает макс. глубины залегания от поверхности Земли в высоких широтах - в Антарктиде (св. 4 км) и Субарктике (ок. 1,5 км), но отличается сезонной изменчивостью и выклинивается в средних и низких широтах. Верх, граница К. проходит на высотах ок. 100 км над ур. м. в разреженных слоях атмосферы, над сильно охлаждённой мезопаузой, содержащей серебристые облака.

К. свойственны эпизодические, кратковременные, сезонные, многолетние и многовековые криогенные образования: мигрирующие системы облаков, содержащих атмосферные льды; кратковременный, сезонный и многолетний снежный покров, аккумулирующий эти льды и конденсирующий водяные пары; сезонномёрзлые (ежегодно и в отд. годы) почвы и горные породы, содержащие лёд в пустотах и порах; сезонный и многолетний ледяной покров пресных и солёных водоёмов, объединяющий льды атмосферного, поверхностного и внутриводного происхождения; сезонные и многолетние наледи поверхностных и подземных вод; горные ледники и ледниковые покровы полярных островов и материков; толщи мёрзлых горных пород, содержащие подземные льды различного генезиса (конституционные, сегрегационные, трещинно-жильные, погребённые, пещерные и др.) и не оттаивающие многие годы, века и тысячелетия. Определённая высотная приуроченность криогенных образований и циркумполярный характер их распространения (см. карту к ст. Многолетняя криолитозона) связаны с неравномерным распределением солнечной радиации по широте и высоте над ур. м. Примерная количеств. характеристика основных криогенных образований даётся в табл. (по П. А. Шумскому и А. Н. Кренке, 1964, с уточнениями).

Размеры областей распространения криогенных образований дают представление о масштабах их участия в круговороте воды на Земле, а значит. объём многовековых скоплений поверхностного и подземного льда свидетельствует об устойчивости низкотемпературной ветви этого процесса. Значительна роль К. в ходе всех планетарных климатообра-зующих процессов, вместе с к-рыми она подвержена суточным, годовым и многолетним колебаниям. В криолитозоне К. порождает специфич. криогенные и посткриогенные явления и соответствующие формы рельефа. Определённое влияние оказывает К. на жизнедеятельность растений, животных и отд. виды хоз. деятельности человека.

К. существовала, по-видимому, на протяжении всей геол. истории Земли. Наиболее яркого выражения она достигала в эпохи глобальных похолоданий, характеризующиеся макс. развитием ледниковых покровов и областей распространения многолетнемёрзлых горных пород.

Термин "K", без точного указания её границ, предложен польским учёным А. Б. Добровольским в 1923, хотя науч. представление о характере векового охлаждения Земли и об особой ледяной оболочке появилось раньше, напр. в трудах М. В. Ломоносова (1763), франц.учёного Ж. Фурье (1820), А. И. Воейкова (1886). В 1933 В. И. Вернадский расширил понятие о К. и ввёл представление об области охлаждения Земли (до темп-р не выше 4 оС - точки макс. плотности воды), занимающей почти всю толщу Мирового океана и более мощные, в сравнении с совр. определением объёма К., слои атмосферы и подземной гидросферы. Значит, вклад в дальнейшее развитие представлений о К. внесли сов. (Н. И. Толсти-хин, П. А. Шуйский и др.), а также франц. (Л. Либутри и др.), канадские (Дж. Р. Маккей и др.), англ. и амер. (А. Л. Уошберн, Т. Л. Певе и др.) учёные.
 
 
 
 

Виды льда

Масса

Площадь распростра-нения

г

%

млн. кмг

% от поверхности

Ледники и ледниковые покровы

2,4*1022

97,72

16

11 суши

Подземные льды

5*1020

2,04

32

25 суши

Морские льды

4*1019

0,16

26

7 океана

Снежный покров

1*1019

0,04

72

14 земли

Айсберги

8*1018

0,03

64

1 9 океана

Атмосферные льды

2*1018

0,01

-

-

Всего:

2,456*1022

100

 

 


 
 

Лит.: Вернадский В. И., Об областях охлаждения земной коры, "Зап. Гос. гидрологического ин-та", 1933, т. 10; Т о л-стихин Н. И.. Подземные воды мерзлой зоны литосферы. М.- Л., 1941; Шуйский П. А., Основы структурного ледове-дения, М., 1955; Основы геокриологии, ч. 1, М.. 1959; Перигляциальные явления на территории СССР. Сб. ст., М.. 1960; Ш у м-с к и й П. А., К р е н к е А. Н., Современное оледенение Земли и его изменения, "Геофизический бюллетень", 1964, № 14; Баранов И. Я., Вечная мерзлота и ее возникновение в ходе эволюции Земли как планеты, "Астрономический журнал", 1966, т. 43, в. 4; Достовалов Б. Н., Кудрявцев В. А., Общее мерзлотоведение, М., 1967; Савельев Б. А., Физика, химия и строение природных льдов и мерзлых горных пород, М., 1971; Дерпгольц В. Ф., Вода во Вселенной, Л., 1971; Мерзлые горные породы Аляски и Канады. Сборник статей, пер. с англ., М., 1958; L 1 i b u t-rу L., Traite de glaciologie, t. 1 - 2, P., 1964-65; Р e w e Т. L., The periglacial environment, Montreal, 1969; Wash-burn A. L., Periglacial processes and environments, L., 1973.

Н. А. Граве, А. А. Шарбатян.

КРИОТЕРАПИЯ (от крив... и терапия), лечение холодом. С лечебной целью издревле применяли обкладывания льдом, обёртывания в смоченные водой простыни. Умеренное, не вызывающее оледенения охлаждение используется в медицине с целью уменьшения воспалит. явлений, как кровоостанавливающее, болеутоляющее и уменьшающее отёк средство. Эффект объясняется либо рефлекторной реакцией (сужение кровеносных сосудов и замедление кровотока), либо снижением обмена веществ в подвергаемом действию холода участке. Холод (аппликации пузырей со льдом) применяют при различных воспалит. процессах (в области жёлчного пузыря, червеобразного отростка, желудка, поджелудочной железы и т. д.), ушибах, переломах. При лёгочных, носовых и желудочно-кишечных кровотечениях назначаются аппликации пузырей со льдом на соответств. область или заглатывание кусочков льда. На ожого-вые поверхности накладывают повязки с охлаждённым спиртом. При сотрясениях и ушибах головного мозга для борьбы с отёком пострадавшему на голову надевают спец. конструкции резиновый шлем, через к-рый постоянно пропускают холодную воду. При кратковременных операциях (вскрытие абсцессов, флегмон) обезболивания достигают распылением хлорэтила и, отнимая у тканей тепло, замораживают их и снижают чувствительность. Общее охлаждение организма - гипотермию - применяют при выполнении операций на сердце, крупных сосудах, головном мозге. В.А.Думчев.

Один из важнейших разделов К.- криохирургия, новое направление в хирургии, использующее низкие темп-ры для деструкции органов и тканей больного, подлежащих удалению или разрушению. Попытки использовать холод для разрушения тканей были предприняты в 40-х гг., когда амер. хирург Т. Фей длительно охлаждал раковые опухоли у неоперабельных больных и получил заметное, хотя и временное, улучшение. Многие дерматологи применяют локальное замораживание кожи (преим. углекислотой) при нек-рых её заболеваниях и раковых поражениях. Значительно труднее оказалось локально замораживать ткани в глубине тела. Замораживание тканей млекопитающих до состояния льда ведёт к полному и необратимому их некрозу. Это результат дегидратации клеток при образовании кристаллов льда в их недрах и во внеклеточной жидкости; резкого повышения концентрации электролитов в клетках ("осмотический шок");, механич. повреждения клеточных мембран и органоидов образующимися кристаллами льда; прекращения кровообращения в зоне замораживания.

Локальное замораживание глубоких структур человеческого организма стало возможным с созданием соответствующей аппаратуры. Это позволило внедрять криохирургию в разных областях медицины. Испытание фреона и др. хладоаген-тов показало, что для целей криохирур-гии наиболее подходит жидкий азот (tкип -195,8 °С). Широко применяется криохирургич. метод при операциях на головном мозге. В 1961 его впервые применили в США при стереотаксич. операциях с целью создания строго локального очага деструкции размером 7-9 мм в глубоких подкорковых структурах мозга. В 1962 сов. учёными (А. И. Шальни-ков, Э. И. Кандель и др.) был создан оригинальный прибор для криогенной деструкции глубоких образований мозга. Осн. его часть - тонкая металлич. трубка (канюля) с резервуаром, в к-рый заливают жидкий азот. Пользуясь стереотак-сии методом, канюлю вводят в заданную структуру мозга. Прибор позволяет получить на конце канюли достаточно низкую темп-ру, способную превратить в лёд заданный объём мозговой ткани. Т. к. тонкий холодопровод внутри канюли тепло-изолирован глубоким вакуумом (10-7мм рт. ст.), она остаётся тёплой и лишь на конце канюли (дл. 2мм) создаётся темп-ра -70°, что обеспечивает образование ледяного шарика диаметром 5-9 мм. После выкипания азота шарик тает, а превращённая в лёд и затем оттаявшая мозговая ткань гибнет. Др. модель этого прибора (1970) позволяет замораживать значит. объёмы опухолевой ткани (до 50- 55 мм в диаметре). Криохирургией пользуются при стереотаксич. операциях на головном мозге с целью лечения паркинсонизма, торсионной дистонии, атетоза, спастической кривошеи, тяжёлых болевых синдромов и т. д. Криодеструкция нормального гипофиза эффективна при метастазах нек-рых видов рака; замораживание опухолей гипофиза перспективно при акромегалии и болезни Иценко- Кушинга. Обнадёживающие результаты получены при холодовой деструкции опухолей в больших полушариях мозга. Криохирургию применяют и для лечения нек-рых глазных болезней (при отслойке сетчатки, для удаления внутриглазных опухолей и т. д.), а также для удаления миндалин, полипов носоглотки, опухолей носа, аденом предстательной железы и т.д.

Э. И. Кандель.
 
 

КРИОТРОН [от крио... и (элек)трон], переключательный криогенный элемент, осн. на свойстве сверхпроводников скачком менять свою проводимость под воздействием критического магнитного поля. Действие К. аналогично работе ключа или реле; К. может находиться только в одном из двух состояний - либо в сверхпроводящем, либо с малой проводимостью. К. могут быть как проволочными, так и плоскими (плёночными), На рис. показана конструкция плёночного К. К. обладают высоким быстродействием (время перехода из одного состояния в другое неск. долей мксек), малыми размерами (до неск. тысяч К. на площади в 1 см2), дёшевы в изготовлении и достаточно надёжны. Технологич. трудности, связанные с глубоким охлаждением, являются причиной того, что применение К. к 1973 находилось на стадии лабораторных исследований и опытных образцов. Лит.: Крайзмер Л. П., Устройства хранения дискретной информации, 2 изд., Л., 1969. Л. П. Крайзмер.

КРИОТУРБАЦИЯ (от крио... и лат. turbatio - смятение, беспорядок), участки сильно деформированных почв и грунтов со следами их движения; имеют вид завихрений, фиксируемых различно окрашенными или различно сложенными слоями. К. формируются при протаива-нии грунтов, а также при их промерзании в условиях замкнутых грунтовых систем.

КРИОФИЛЫ (от крио... и греч. phileo - люблю), организмы, живущие в талых лужах на поверхности льда или снега и в воде, пропитывающей морской лёд; при понижении темп-ры они оказываются вмёрзшими в лёд. К К. относятся одноклеточные водоросли (составляющие осн. массу криопланкпюна) и мелкие животные (нек-рые черви и насекомые). Массовое развитие водорослей-К. вызывает окрашивание снега или льда (напр., растит. жгутиконосцем Chlamydomonas nivalis - в красный цвет). В полярных морях диатомовые водоросли, обитающие в толще морского льда, окрашивают льдины в жёлто-бурый цвет, что способствует их таянию и уменьшает прочность. Микроорганизмы, относящиеся к К., чаще наз. психрофилъными микроорганизмами.

КРИОФИЛЬНЫЕ МИКРООРГАНИЗМЫ, бактерии, плесневые грибы и нек-рые др. микроорганизмы, способные развиваться при относительно низких темп-pax (ок. О °С); то же, что психро-филъные микроорганизмы

КРИОФИТЫ (от крио... и греч. phy-ton - растение), растения, приспособленные к холодным и сухим местообитаниям. Вместе с психрофитами образуют основу растит. покрова тундр, альпийских лугов, осыпей и скал в высокогорьях. Пример К. - подушковидные растения высокогорных пустынь Памира, Тянь-Шаня, Тибета.

КРИОЭЛЕКТРОНИКА, криогенная электроника, направление, охватывающее исследование взаимодействия электромагнитного поля с электронами в твёрдых телах при криогенных темп-pax (ниже 90К) и создание элект-: ронных приборов на их основе. В крио-электронных приборах используются различные явления: сверхпроводимость металлов и сплавов, зависимость диэлект-рич. проницаемости нек-рых диэлектриков от электрич. поля, появление у металлов при Т<80К полупроводниковых свойств при аномально высокой подвижности электронов проводимости и др.

К криоэлектронным приборам следует отнести: запоминающие и логические криоэлектронные устройства вычислит. техники; генераторы, усилители, переключатели, резонаторы, детекторы, преобразователи частоты, фильтры, линии задержки, модуляторы и др. приборы СВЧ; сверхпроводящие магнитометры, гальванометры, болометры и др. Одной из задач К. является создание электронных охладителей, а также миниатюрных приборов, сочетающих в одной конструкции электронную схему, криостат, служащий герметич. оболочкой, и охлаждающее устройство.

Криотроны. Развитие К. началось с создания криотрона (1955) - миниатюрного переключательного элемента, действие к-рого осн. на явлении сверхпроводимости, Криотроны - элементы логических, запоминающих и переключательных устройств. Они отличаются низким потреблением энергии(10 -18 дж), малыми габаритами (до 10-6 мм2), быстродействием (время переключения~ 10 -11 сек). Первые проволочные криотроны были вскоре заменены плёночными (1958- 1960). В 1955-56 появились др. плёночные запоминающие элементы: перси-стор, персистотрон, ячейка К р о у, однако они не получили распространения. Осн. криоэлектронным элементом в вычислительной технике остался плёночный криотрон. В 1967 был разработан плёночный туннельный криотрон (криосар), осн. на Джозефсона эффекте.

Криоэлектронные усилители. Проблема приёма слабых сигналов СВЧ стимулировала появление низкотемпературных твёрдотельных усилителей, осн. на разных физич. явлениях и обладающих ничтожно малыми шумами. К ним следует отнести прежде всего парамагнитный квантовый усилитель и параметрический усилитель, работающий при темп-ре 90К. В последнем роль активного элемента (параметрического полупроводникового диода) играет либо р - n-переход в полупроводнике с высокой подвижностью носителей при Г<90К, либо переход металл - полуметалл (InSb, рис. 1). Последний приобретает при Т<90К свойства полупроводника, имеющего подвижность носителей в 102 -103 раз выше, чем у Ge и Si. Мощность, потребляемая таким усилителем, 10-1- 10 -2вт.

Сверхпроводниковый усилитель также основан на принципе параметрич. усиления, но в этом случае периодически изменяется не ёмкость С колебательной системы, а её индуктивность L (рис. 2). Индуктивным элементом такого усилителя служит тонкая плёнка сверхпроводника при темп-ре несколько ниже Ткр. В сверхпроводящей плёнке возникает т. н. "сверхиндуктив-ность" LK, обусловленная кинетич. энергией движущихся сверхпроводящих электронных пар. Индуктивность LKпри определённом выборе геометрии плёнки может преобладать над обычной индуктивностью L проводника. Внеш. электромагнитным полем можно периодически разрушать и восстанавливать сверхпроводящие электронные пары, изменяя их число ns, и этим самым можно периодически изменять индуктивность LKпо закону:

LK = 1/ns

Параэлектрические усилители осн. на аномально высокой поляризации нек-рых диэлектриков (напр., СrТiO3) при низких темп-pax. Ди-электрич. проницаемость таких диэлектриков (параэлектриков) от 10 до 15-103, при Т<80К появляется сильная зависимость диэлектрич. потерь от внеш. электрич. поля (рис. 3). Активный элемент параэлектрич. усилителя представляет собой электрич. конденсатор, заполненный таким параэлектриком, помещённым в электромагнитное поле (накачка). Ёмкость такого конденсатора периодически изменяется с частотой накачки, что позволяет осуществить пара-метрич. усиление (рис. 4).

Существуют усилители, в к-рых используются комбинации перечисленных методов. Например, сочетание изменяющихся индуктивности L сверхпроводника и ёмкости С "запертого" перехода металл - полуметалл позволяет создать усилитель, где одновременно от одного генератора модулируется С и L, что улучшает характеристики усилителей (рис. 5).

Количественным критерием чувствительности криоэлектронных усилителей является их шумовая температура 7ш.

У криоэлектронных усилителей она достигает единиц и долей градуса К (рис. 6). Наряду с этим криоэлектрон-ные усилители обладают широкой полосой пропускания и высоким усилением (обычно от 10 до 104).

Криоэлектронные резонаторы. Повышение стабильности частоты генераторов СВЧ ограничено величиной добротности

Q объёмных резонаторов, к-рая зависит от активных потерь энергии в их проводящих стенках. Теоретич. предел О обычных резонаторов 2-8*103 для осн. типа волн в сантиметровом диапазоне. Добротность может быть увеличена в 10-100 раз охлаждением до 15-20К за счёт уменьшения рассеяния электронов на тепловых колебаниях кристаллической решётки металла.

Резонаторы со сверхпроводящими стенками теоретически должны обладать бесконечно большой добротностью из-за отсутствия потерь в поверхностном слое сверхпроводника. В действительности же потери существуют вследствие инерционности электронов. С другой стороны, на очень высоких частотах (~ 1011 гц), когда энергия кванта электромагнитного поля сравнима с энергией расщепления сверхпроводящих электронных пар (3,52 k Т), потери в сверхпроводящем и нормальном состояниях становятся одинаковыми. Поэтому наибольшая добротность (Q~ ~1011) достигается в дециметровом диапазоне длин волн. Для L = 3 см добротность сверхпроводящих резонаторов ~ 107-109. С помощью сверхпроводящих резонаторов стабильность частоты обычных клистронов может быть улучшена c5*10-4 до 10-9-10-10, т.е. до уровня стабильности квантовых стандартов частоты при сохранении всех преимуществ клистронов. Сверхпроводящие резонаторы обычно работают при гелиевых темп-рах (4,2 К). Если в них используются сверхпроводники 1-го рода, то их рабочая темп-pa поднимается до 10-15 К.

Фильтры и линии задержки. Сверх-проводящий фильтр представляет собой цепочку последоват. соединений сверхпроводящих резонаторов. Избирательность в полосе запирания у такого фильтра повышена в 103-106 раз по сравнению с обычными фильтрами.

Сверхпроводящая линия задержки в простейшем виде представляет собой тонкий кабель из сверхпроводника, свёрнутый в спираль и помещённый в крио-стат. Его длина соответствует времени задержки сигнала (т~ мсек или долей мсек). Применяется в радиолокации и измерительной технике. Для т~ нсек или псек используются сверхпроводящие меандры - извилистые линии из узких тонких сверхпроводящих плёнок на диэлектрической подложке. Изменяя внеш. полем распределённую индуктивность такой линии, можно управлять временем задержки т. Применяются также Параэлектрические фильтры и линии задержки.

Охлаждение в К. достигается различными методами. Криостат, к-рый обычно служит оболочкой прибора, часто соединяют с криогенной установкой. Для охлаждения используются также Джоуля - Томсона эффект, Пелътъе эффект, Эттингсгаузена эффект, магнитное охлаждение и др. В приборах для космич. исследований охлаждение и поддержание низких темп-р достигается за счёт использования отвердевших газов (1 кг твёрдого азота может находиться в космосе до 1 года).

Иногда неск. приборов помещают в общий криостат, к-рый может выполнять также определённые функции, напр. служить антенной. Т. о. осуществляют интеграцию. Развитие К. особенно интегральной, приводит к увеличению надёжности приборов, уменьшению их габаритов, веса и расширяет области их применения (рис. 7).

Лит.: Б р э м е р Д ж., Сверхпроводящие устройства, пер. с англ., М., 1964; Крайзмер Л. П., Устройства хранения дискретной информации, 2 изд., Л., 1969; Алфеев В. Н., Радиотехника низких температур, М., 1966; его же, Криогенная электроника, "Известия ВУЗОВ. Радиоэлектроника", 1970, т. 13, в. 10, с. 1163 - 1175; Электронная техника. Серия 15, Криогенная электроника, в. 1, М., 1969, с. 3; Малков М., Данилов И., Криогеника, М., 1970; Уильяме Д ж., Сверхпроводимость и ее применение в 'технике, перевод с английского, М., 1973.

В. Н. Алфеев.

КРИП (англ. creep), малоупотребительный синоним ползучести.

КРИППС (Cripps) Ричард Стаффорд (24.4.1889, Лондон, - 21.4.1952, Цюрих), английский гос. деятель, лейборист. По профессии адвокат. В 1931-50 чл. палаты общин. В 30-е гг. был одним из лидеров левого крыла Лейбористской партии; в 1934-35 чл. исполкома партии. В предвоен. годы К. был сторонником отпора фаш. агрессии и укрепления коллективной безопасности с участием СССР. Выступал за единый фронт всех левых орг-ций, включая компартию, за что в янв. 1939 был исключён из Лейбористской партии. С приходом к власти правительства У. Черчилля К. был назначен послом в СССР (занимал этот пост в мае 1940 - янв. 1942). От имени Великобритании подписал в июле 1941 соглашение с СССР о совместных действиях в войне против фаш. Германии. В марте 1942 возглавлял спец. англ. миссию в Индию (см. Криппса миссия). Был лидером палаты общин (1942), затем мин. авиац. пром-сти в пр-ве Черчилля (1942-45). В марте 1945 был восстановлен в Лейбористской партии. Занимал посты министра торговли (1945-47), министра экономики (1947), министра финансов (1947-50) в лейбористском правительстве К. Эттли.

КРИППСА МИССИЯ, миссия английского пр-ва в Индию в марте 1942, во время 2-й мировой войны 1939-45, возглавленная Р. С. Криппсом. Цель К. м.- укрепить позиции Великобритании в Индии путём уступок инд. нац. движению. К. м. вела переговоры с лидерами инд. поли-тич. партий на основании следующей декларации англ. пр-ва: Великобритания обязуется сразу после окончания войны предоставить Индии права доминиона; для выработки новой конституции будет создан орган, куда войдут представители как Брит. провинций, так и княжеств; провинции и княжества, к-рые не пожелают войти в Индийский Союз, могут либо сохранить прежние отношения с Великобританией, либо образовать отд. доминионы. В связи с тем, что руководство крупнейшей партии Индии - Национального конгресса - отвергло эти предложения (ибо они не предполагали создания индийского нац. пр-ва до окончания войны), переговоры Криппса окончились провалом.

КРИПТА (от греч. krypte - крытый подземный ход, тайник), 1) в Др. Риме - любое сводчатое подземное или полуподземное помещение. 2) В ср.-век. западно-европ. архитектуре - часовня под храмом (обычно под алтарной частью), использовавшаяся как место для почётных погребений. К. были широко распространены в архитектуре раннего средневековья.
 

Крипта Сен-Лоран в Гренобле. Конец 8 в.
 

КРИПТИИ (греч. krypteia), в Спарте (Др. Греция) проводившиеся периодически гос-вом карат. экспедиции против илотов; осуществлялись силами гл. обр. спартанской молодёжи. Цель К. - держать в постоянном страхе илотов, уничтожая наиболее активную часть их. К. придавалось большое значение с точки зрения воен. воспитания и тренировки спартиатов. К. назывались также сами

отряды спартанской молодёжи, несущие в течение двух лет полицейскую службу.

Лит.: Бергер А. К., Социальные движения в древней Спарте, М., 1936; Lеаnmaiге Н., La cryptie Lacedemonienne, "Revue des etudes greques", 1913, v. 26, № 117, p. 121-50.

КРИПТИЧЕСКАЯ ОКРАСКА (от греч. kryptos - скрытый), сходство нек-рых животных по цвету и рисунку с фоном, делающее их незаметными для врагов или для жертв. См. Покровительственная окраска и форма.

КРИПТО... (от греч. kryptos - тайный, скрытый), составная часть сложных слов, соответствующая по значению основе "тайно..." или означающая что-либо скрытое, тайное (напр., криптофиты).

КРИПТОГАМЫ (от крипто... и греч. gamos - брак), растения, не имеющие цветков (напр., папоротники, хвощи, мхи, грибы); то же, что тайнобрачные растения.

КРИПТОГРАФИЯ (от крипто... и ...графин), тайнопись, специальная система изменения обычного письма, используемая с целью сделать текст понятным лишь для ограниченного числа лиц, знающих эту систему. Различные способы К. применялись для зашифровки военных, дипломатич., торгово-финанс., нелегально-политич., религиозно-еретич. текстов; служат для игры в разгадывание (детская К., ребусы и т. п.). К. известна с древнейших времён на Др. Востоке, в Др. Греции и Риме, в рус. памятниках- с 12-13 вв. В слав, рукописях, кроме основных функций, употреблялась для отделения культового текста от приписок, указаний чтецу и т. д., в заговорах - как магическое средство. Известны следующие осн. способы К.: 1) употребление иного алфавита (напр., в рус. памятниках глаголица, греч., лат.); 2) изменение знаков (напр., приписывание дополнит. чёрточек, недописывание букв, т. н. полусловица); 3) условные знаки или цифры; 4) замена одних букв другими по их месту в алфавите (напр., т. н. литорея) или их числовому значению; 5) запись текста в виде нек-рой фигуры, иногда вкрапленной в др. текст (напр., акростих); 6) написание слов в обратном порядке. Надпись или документ, сделанные криптографическим способом, наз. криптограммой.

Лит.: Сперанский М. Н., Тайнопись в югославянских и русских памятниках письма, Л., 1929. В.М.Живов.

КРИПТОДЕПРЕССИЯ (от крипто... и депрессия), затопленное понижение земной поверхности, дно к-рого хотя бы частично опускается ниже уровня моря, а водная поверхность лежит выше этого уровня (напр., оз. Байкал, Ладожское оз.).

КРИПТОЗОЙСКИЙ ЭОН (от крипто... и греч. zoe - жизнь,образ жизни),то же, что докембрий. Термин предложен амер. геологом Дж. Чедвиком (1930) для крупнейшего подразделения геохронологич. шкалы, во время к-рого сформировались докембрийские толщи пород, лишённые явных остатков скелетной фауны. Противопоставляется фанерозоискому зону, где эти остатки встречаются в массовом количестве.

КРИПТОКОККОЗ, европейский б л а с т о м и к о з, глубокое системное грибковое заболевание человека и животных. К. вызывается грибом крипто-кокком (Cryptococcus neoformans) из

группы дрожжеподобных. К.- редкое, тяжёлое заболевание, встречается во всех странах. Источники инфекции для человека и пути распространения болезнетворного начала неизвестны.

К. человека характеризуется преимущественным поражением лёгких, центр. нервной системы, а также кожи и подкожной клетчатки с последующими метастазами во внутр. органы. Распознавание К. сложно; лабораторная диагностика К. состоит в выделении возбудителя. Лечение: медикаментозное (амфо-терицин Б) в сочетании с антикриптокок-ковой кроличьей сывороткой или гамма-глобулином.

К. животных распространён в США, Дании, Италии, Франции, Нидерландах; зарегистрирован в Швейцарии, СССР. Болеют кр. рог. скот, кошки, собаки, обезьяны. В организм животных возбудитель проникает через дыхат. пути и пищеварительный тракт. У кр. рог. скота наблюдается перемежающаяся лихорадка, опухание и болезненность вымени, резкое снижение удоя, при метастазах в лёгкие - пневмония. У собак и кошек поражаются лёгкие, центр. нервная система. У больных животных наблюдается расстройство координации движений, затруднённое дыхание, кашель, иногда слепота. Лечение не разработано. Для профилактики К. решающее значение имеют общие зоогигиенич. и сан. мероприятия.

Лит.: Спесивцева Н. К., Микозы и микотоксикозы, 2 изд., М., 1964.

КРИПТОЛЕМУС (Cryptolaemus montrouzieri), жук сем. божьих коровок. Дл. тела 3-4 мм; голова, переднеспинка и вершины надкрылий красно-жёлтые, остальное тело чёрное. Естественный истребитель червецов - вредителей мн. культурных растений. Родина - Австралия; ввезён в ряд стран. В СССР (в Абхазию) завезён в 1933 для борьбы с опаснейшим вредителем мандаринов - цитрусовым мучнистым червецом; позднее - для борьбы с др. видами червецов. Самки К. откладывают до 300 яиц в яйцекладки червеца; вышедшие личинки поедают яйца червеца; взрослые личинки и жуки питаются червецами и их личинками. В Абхазии даёт 3 поколения в год. К. плохо переносит темп-ру ниже 0°, поэтому на Кавказе его размножают зимой в лабораториях и выпускают жуков в сады и на плантации во время появления яйцекладок 1-го поколения червецов. Использовать можно лишь в условиях влажного климата.

КРИПТОМЕРИЯ (Cryptomeria japoniса), вечнозелёное хвойное дерево сем. таксодиевых. Стройный ствол выс. ок. 50 м с узкой густой кроной. Кора коричневато-красная волокнистая. Листья спирально расположенные, светло-зелёные, линейно-шиловидные, искривлённые у основания. Семенные шишки почти шаровидные, диаметр ок. 2 см, коричневатые, одиночные, созревают в 1-й год и остаются на дереве после рассеивания семян. Родина - Япония и Китай, где в горах образует чистые насаждения. К. выращивают в садах и парках, в СССР - на Черноморском побережье Кавказа и в Крыму. Древесина мягкая, лёгкая, устойчива к гниению, иногда с красивым рисунком, легко поддаётся обработке.

Лит.: Деревья и кустарники СССР, т.1, М. - Л., 1949; D а 1 1 i m о г е W., Jackson А. В., A handbook of Coniferae including Ginkgoaceae, [4 ed.], L., 1966.

КРИПТОН (лат. Kryptonum), Кг, хим. элемент VIII группы периодич. системы Менделеева, относится к инертным газам, ат. н. 36, ат. м. 83,80. На Земле присутствует гл. обр. в атмосфере. Атмосферный К. состоит из смеси 6 стабильных изотопов, среди к-рых преобладает 84Кг (56,90%). Открыт в 1898 У. Рамэаем и М. Траверсом при спектроскопия, изучении труднолетучих фракций жидкого воздуха; назван К. (от греч. kryptos - скрытый). При нормальных условиях 1 м3 воздуха содержит около 1 см3 К. К.- одноатомный газ без цвета и запаха; плотность при О оС и 100 кн/м2 (760 мм рт. ст.) 3,745 г/л, tпл-157,1 оС, tкип-153,2 оС. В твёрдом состоянии К. обладает кубич. решёткой с параметром а = 5,706А (-184 °С). После синтеза в 1961 фторида ксенона было установлено, что и К. способен вступать в хим. реакции. В частности, при взаимодействии К. и фтора (напр., в электрич. разряде) можно получить фториды KrF2 или KrF4, устойчивые только при пониженной темп-ре. Действием раствора Ва(ОН)2 на KrF4 получен криптонат бария ВаКrО4. Как и другие инертные газы, К. образует соединения включения: Кг*6Н2О, Кг*ЗС6Н5ОН и др.

Получают К. при разделении воздуха. Применяют гл. обр. в электровакуумной технике. Криптоновые лампы накаливания служат дольше обычных (с атмосферой азота или аргона), т. к. тяжёлые атомы К. в большей степени препятствуют испарению атомов вольфрама с поверхности раскалённой нити. Электрич. разряд в трубках с разрежённым К. сопровождается белым свечением.

С. С. Бердоносов.

КРИПТОНОВАЯ ЛАМПА НАКАЛИВАНИЯ, лампа накаливания электрическая, колба к-рой наполнена инертным газом криптоном. Благодаря большей атомной массе криптона, чем у обычно применяемой газовой смеси (85% аргона и 15% азота), скорость распыления вольфрамовой нити тела накала К. л. н. при такой же темп-ре меньше. Возможность повышения темп-ры тела накала позволяет увеличить световую отдачу К. л. н. общего назначения при той же ср. продолжительности горения на 15-20% по сравнению с обычными лампами той же мощности, а также уменьшить объём колбы. Уменьшение же объёма колбы лампы сокращает расход криптона и повышает давление в лампе, что также способствует дальнейшему снижению скорости испарения вольфрамовой нити. С целью уменьшения тепловых потерь через газ тело накала К. л. н. выполняется в виде биспирали. Наполнение криптоном применяется и для др. ламп накаливания (напр., рудничных и автомобильных), к-рым необходима возможно большая световая отдача при миним. размерах. В. М. Скобелев.

КРИПТОРХИЗМ (от крипто... и греч. orchis - яичко), аномалия развития человека и нек-рых животных (лошади,собаки и др.), при к-рой яичко при внутриутробном развитии плода не опустилось до своего нормального положения на дно мошонки. Образование сперматозоидов в неспустившемся яичке может быть понижено либо отсутствовать. У человека односторонний К. обычно обусловлен внутрибрюшными сращениями, укорочением семявыносящих протоков, недоразвитием внутр. семенной артерии, узостью пахового канала и т. д. Двусторонний К. обычно связывают с нарушениями гормонального баланса, недостаточностью гонадотропных гормонов и наследственно-биологич. факторами. В зависимости от задержки яичка в полости живота или в паховом канале различают брюшной и паховый К. В ряде случаев к 10-12 годам яичко опускается в мошонку, поэтому у взрослых мужчин К. наблюдается всего в 0,3% случаев, а у детей и подростков (к периоду полового созревания) - в 2-3%.

Лечение: в детском возрасте - гормонотерапия, способствующая ускорению развития яичка (гонадотропный гормон гипофиза, андрогены); при безрезультатности - хирургическое. В. Г. Цомык.

КРИПТОСТОМАТЫ (Cryptostomata), отряд ископаемых мшанок. Колонии К. небольших размеров (до 15 см), преим. сетчатой формы, реже ветвистой, пластинчатой. Известковый скелет пронизан системой капилляров. 3 подотряда включают 10 семейств (ок. 150 родов); были широко распространены в палеозое от ордовика до начала триаса; обитали в морях. Принимали участие в образовании рифов. Имеют важное стратиграфия, значение.

Лит.: Основы палеонтологии. Мшанки, брахиоподы, М., 1960; А с т р о в а Г. Г., Морфология, история развития и система ордовикских и силурийских мшанок, М., 1965; Морозова И, П., Мшанки поздней перми, М.. 1970.

КРИПТОФИТЫ (от крипто... и греч. phyton - растение), многолетние травянистые растения, у к-рых почки возобновления закладываются на корневищах, клубнях, луковицах и находятся под землёй (геофиты, напр. тюльпан) или под водой (гидрофиты). См. Жизненная форма.

КРИПЯКЕВИЧ Иван Петрович [25.6 (7.7).1886, Львов, -21.4.1967, там же], советский историк, акад. АН УССР (1958), засл. деят. науки УССР (1961). В 1908 окончил Львовский ун-т. С 1911 чл. историко-филос. секции Науч. товарищества им. Т. Г. Шевченко. После воссоединения Зап. Украины с УССР (1939) К.- проф. и зав. кафедрой истории Львовского ун-та. С 1951 зав. отделом истории Украины Ин-та обществ. наук АН УССР во Львове, с 1953 директор этого ин-та. К.- автор мн. работ по истории Украины периода феодализма. Его работы до 40-х гг. носят отпечаток влияния концепций школы М.С. Грушевского. В сов. время К. опубликовал ряд исследований, гл. обр. по истории народно-освободит. войны 1648-54.

Соч.: Богдан Хмельницький, К., 1954; Звязки Захiдноi Украiни з Pocieю до сер. XVII ст.. К., 1953.

КРИС (малайск. kris), холодное оружие мн. народов Малайзии и Индонезии - стальной кинжал с пламевидным или змеевидным изгибами лезвия и богато украшенной рукояткой из дерева, кости, рога. В прошлом К. был обязат. принадлежностью мужского костюма. В годы колон. господства право носить его сохранили лишь представители аристократии и деревенской администрации. Ныне К. хранят в семьях как фамильную ценность.

КРИСПИ (Crispi) Франческо (4.10.1818, Рибера, Сицилия, -11.8.1901, Неаполь), итальянский гос. деятель, адвокат. В период Рисорджименто - участник Революции 1848-49, сподвижник Дж. Гарибальди по экспедиции "Тысяча". После объединения Италии стал рьяным поборником монархии. В 80-х гг.- один из лидеров т. н. Левой-парламентской группировки итал. буржуазии. Будучи в 1887- 1891 и 1893-96 премьер-министром, К. в области внутр. политики проводил жёсткий антидемократич. курс (реакц. закон об обществ. безопасности 1889, кровавая расправа с восставшими крестьянами в Сицилии и рабочими в Масса-Карраре в 1893-94, запрещение социа-листич. партии в 1894-95 и т. д.). Внеш. политика К. характеризуется укреплением связей Италии с др. членами Тройственного союза 1882 и экспансией в Африке, где было начато создание колоний в Сомали (1889) и Эритрее (1890); однако провал попытки захватов в Эфиопии (1896) и политики "железного кулака" внутри страны вынудили К. уйти с поли-тич. арены. B.C. Бондарчук.

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химич. реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. К. лежит в основе металлургии, получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. материалов, плёнок для микроэлектроники, металлических покрытий, широко используется в химич., пищ., мед. пром-сти (очистка веществ, произ-во удобрений, соли, сахара, химикалиев, лекарств).

Условия К. Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растёт, то он находится в термодинамич. равновесии сматочной средой (расплавом , раствором или паром ). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при темп-ре плавления Тпл, а равновесие с раствором и паром - если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды- необходимое условие для роста погружённого в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.

К.- фазовый переход вещества из состояния переохлаждённой (пересыщенной) маточной среды в кристаллич. соединение с меньшей энергией. Избыточная энергия выделяется при К. в виде скрытой теплоты К. Часть этой теплоты может превращаться в механич. работу; напр., растущий кристалл может поднимать положенный на него груз, развивая кристаллизационное давление порядка десятков кГ/см2. В частности, кристаллы солей, образующиеся в порах бетонных плотин в морской воде, могут вызывать разрушение бетона.

Выделение скрытой теплоты К. ведёт к нагреванию расплава, уменьшению переохлаждения и замедлению К., которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений темп-ры, концентрации и давления.

Зародыши К. Переохлаждённая среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние (напр., мелкие, диаметром 0,1 мм капли хорошо очищенных металлов можно переохладить до темп-ры ~0,8 Тпл). Однако при достижении нек-рого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов (зароды-ш е и). Происходит спонтанная К. Возникшие кристаллики растут и, т. к. переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Критич. переохлаждение зависит от темп-ры, концентрации, состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц (напр., пылинок, на к-рых образуются зародыши, кристалликов др. веществ и т. п.), от материала и состояния поверхности стенок сосуда, от интенсивности перемешивания, действия излучений и ультразвука.

При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллич. агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности - увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера r агрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает (рис. 1). Агрегат, для к-рого работа образования максимальна, наз. критическим зародышем (гкр). Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах (в особенности заряженных), на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение паз. гетерогенным. При К. на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преим. на неоднородностях поверхности. При этом кристаллики "декорируют" дефекты и неоднородности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением темп-ры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости, а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллич. агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от темп-ры имеет максимум (рис. 2). При низких темп-рах подвижность частиц жидкости столь Мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным,- возникает стекло.

Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метаста-бильных растворов и расплавов, вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургич. процессах стремятся иметь макс. число зародышей.

Эпитаксия. Кристаллы, возникающие на поверхностях др. кристаллов, ориентированы относительно них закономерно. Напр., при К. Аu (из атомарного пучка) на поверхности кристалла NaCl кристаллики Аи ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания наз. зпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если темп-pa подложки выше нек-рой критической (если темп-pa ниже, то кристаллики ориентированы хаотично) и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды, а также от предварит. облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Подложка ориентирует кристаллики даже через тонкие (~ 1000А) плёнки угля, поливинилхлорида, окиси цинка, селена, если последние нанесены не в сверхвысоком вакууме.

Эпитаксия используется для получения монокристаллич. плёнок, применяемых, в частности, в микроэлектронике. При этом на монокристальной подложке образуются отдельные, одинаково ориентированные кристаллики, к-рые затем срастаются в сплошную плёнку. Чистота и совершенство подложки сильно влияют на качество плёнки и её структуру. Дефекты плёнки возникают на примесях, а также в местах срастания отд. кристалликов.

Рост кристаллов. Из слабо переохлаждённых паров, растворов и реже расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиболее развитые грани обычно имеют простые кристаллографич. индексы (см. Миллеровские индексы), напр. для алмаза это грани куба и октаэдра. Взаимная ориентация граней, как правило, такова, что размер каждой из них тем больше, чем меньше её скорость

Рис. 3. Пластинчатый кристалл паратолу-идина в поляризованном свете; каждая линия - ступень на поверхности кристалла. По разные стороны от ступени толщина кристалла, а следовательно, и интенсивность прошедшего света и окраска (в скрещённых николях) различны.

роста. Т. к. скорость роста увеличивается с переохлаждением по-разному для разных граней, то с изменением переохлаждения меняется и облик (габитус) кристалла. Рост простых кристаллографич. граней идёт послойно, так что края незавершённых слоев - ступени - движутся при росте вдоль грани. Высота ступени, т. е. толщина откладывающегося слоя, колеблется от долей  мм до неск. А. На тонких двупреломляющих кристаллич. пластинках ступени наблюдаются в поляризованном свете как границы областей различной окраски (рис. 3). Тонкие ступени наблюдают методом де-корирования, а высокие ступени - непосредственно, с помощью оптического или электронного микроскопов. Тонкие ступени движутся при росте быстрее толстых, догоняют их и сливаются с ними. В свою очередь, высокие ступени расщепляются на более низкие. Формирующаяся т. о. ступенчатая структура поверхности сильно зависит от условий роста (темп-ры, пересыщения, состава среды) и влияет на совершенство формы кристалла. Напр., появление на кристаллах сахарозы высоких ступеней ведёт к захвату капелек маточного раствора и растрескиванию кристаллов.

Если кристалл содержит винтовую дислокацию, то его атомные слои подобны этажам гаража с винтовым выездом в середине. Надстройка такого кристалла происходит присоединением атомов к торцу последней ступени (рис. 4, а). В результате кристаллический слой растёт, непрерывно накручиваясь сам на себя, надстраивая дислокацию, а ступень в процессе роста принимает форму спирали (рис. 4, б,в). Дислокация обеспечивает при малых переохлаждениях квадратичную зависимость скорости роста грани от переохлаждения (пересыщения), т. е. заметную скорость роста уже при малых отклонениях от равновесия.

В случае бездислокационного кристалла отложению каждого нового слоя должно предшествовать его зарождение. При малых пересыщениях новые слои зарождаются лишь около дефектов поверхности, а при больших отклонениях от равновесия и на совершенных кристаллах зарождение слоев возможно в любых точках поверхности. При больших отклонениях от равновесия как зародышевый, так и дислокационный механизмы создают высокую плотность ступеней, а скорость роста увеличивается с переохлаждением линейно.

Ступени, расходящиеся по грани от уколов, царапин, а при больших пере-сыщениях от вершин кристалла, образуют холмики роста. Поверхность растущей грани целиком состоит из них. Склоны холмиков отклонены от грани на углы порядка неск. градусов, причём тем меньше, чем меньше пересыщение.

Из расплава кристаллы (напр., для большинства металлов) часто растут не огранёнными, а округлыми. Округлые поверхности растут не послойно (тангенциально), а нормально, когда присоединение новых частиц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности.

Поверхности кристаллов, растущих послойно, являются атомно гладкими. Это означает, что осн. масса возможных атомных положений в слое занята (рис. 5). Поверхности, растущие нормально, в атомном масштабе являются шероховатыми. В них количество вакансии и атомов, адсорбированных на поверхности и занимающих отд. места, подлежащие заполнению в след. слое, соизмеримо с полным числом возможных атомных положений (рис. 6). Лтомно шероховатые поверхности, а часто и торцы ступеней на атомно гладких поверхностях содержат множество изломов. На изломах атомы могут переходить в кри-сталлич. фазу поодиночке, не объединяясь в агрегаты и потому не преодолевая связанных с этой коллективностью потенциальных барьеров. Поэтому рост шероховатой поверхности и ступеней обусловлен гл. обр. присоединением отд. частиц к изломам. В результате скорости роста шероховатых поверхностей почти одинаковы во всех направлениях и форма растущего кристалла - округлая, а атомно гладкие поверхности растут послойно. Заполнение каждого нового атомного места в кристалле происходит не сразу, а после многочисл. "проб и ошибок" - присоединений и отрывов атомов или молекул. Характерное число попыток на одно "прочное", необратимое присоединение тем больше, чем меньше отклонение от равновесия. Вероятность появления дефектов при К. падает с ростом числа попыток, т. е. уменьшением пересыщения. Частицы кристаллизующегося вещества поступают к изломам из раствора за счёт диффузии, а при послойном росте из паров - также из адсорбционного слоя благодаря диффузии по поверхности. Скорость роста кристалла из растворов определяется степенью лёгкости отделения строительной частицы от молекул или ионов растворителя и пристройки их к изломам. Скорость роста из расплавов обусловлена лёгкостью изменения относительных положений соседних частиц жидкости, т. е. её вязкостью.

Формы роста кристаллов. Простейшая форма роста - многогранник, причём размеры граней сильно зависят от условий роста. Отсюда пластинчатые, игольчатые и др. формы кристаллов. При росте больших огранённых кристаллов из неподвижного раствора пересыщение выше у вершин и рёбер кристалла и меньше в центр. частях грани. Поэтому вершины становятся ведущими источниками слоев роста. Если пересыщение над центр. участками граней достаточно мало, то грань уже не может больше расти, и вершины обгоняют центры граней. В результате возникают скелетные формы кристаллов (рис. 7). Поэтому совершенные кристаллы выращивают из хорошо перемешиваемых растворов и расплавов.

Примесь, содержащаяся в маточной среде, входит в состав кристалла. Отношение концентрации примеси в кристалле и в среде наз. коэфф. распределения примеси. Захват примеси зависит от скорости роста. Разные грани захватывают при К. разные количества примесей. Поэтому кристалл оказывается как бы сложенным из пирамид, имеющих своими основаниями грани кристалла и сходящимися своими вершинами к его центру (рис. 8). Такой секториальный захват примеси вызван различным строением разных граней.
 
 

Если кристалл плохо захватывает примесь, то избыток её скапливается перед фронтом роста и растёт. Обогащённый примесью пограничный слой, из к-рого идёт К., не успевает перестраиваться, в результате чего возникает зонарная структура (полосы на рис. 8). Аналогичная картина возникает, если кристалл обогащается примесью, а пограничный слой обедняется.

При росте кристаллов в достаточно больших объёмах (десятки, сотни см3 и более) перемешивание растворов и расплавов возникает самопроизвольно. В случае раствора слой жидкости вблизи скоро растущих граней обедняется веществом, его плотность уменьшается, что приводит к перемещению вещества вверх (концентрационные поток и). По-разному омывая различные грани, концентрационные потоки изменяют скорости роста граней и облик кристалла. В расплаве из-за нагревания примыкающей к растущему кристаллу жидкости скрытой теплотой К. возникают конвекционные потоки. Скорость, темп-pa и концентрация примесей в конвекционных истоках хаотически колеблются около средних значений. Соответственно меняются скорость роста и состав растущего кристалла, в теле к-рого остаются "отпечатки" последоват. положений фронта К. Образуется зонарная структура кристалла. В металлич. расплавах магнитное поле останавливает конвекцию и уничтожает зонарность.

Если расплав перед фронтом роста переохлаждён, то выступ, случайно возникший на поверхности, попадает в область большего переохлаждения, скорость роста его вершины увеличивается ещё больше и т. д. В результате плоский фронт роста разбивается на округлые купола, имеющие в плоскости фронта форму полос или шестиугольников,- возникает ячеистая структура (рис. 9,а). Линии сопряжения ячеек (канавки) оставляют в теле растущего кристалла дефектные и обогащённые примесью слои, так что весь кристалл оказывается как бы сложенным из гексагональных палочек или пластинок (карандашная структура; рис. 9,6).

Если в переохлаждённом расплаве (растворе) оказывается не плоская поверхность, а маленький кристалл, то выступы на нём развиваются в различных кристаллографич. направлениях, отвечающих макс. скорости роста, и образуют многолучевую звезду. Затем на этих главных отростках появляются боковые ветви, на них - ветви след. порядка,- возникает дендритная форма кристаллов (рис. 10). Несмотря на причудливую древовидную форму, кристаллографическая ориентация дендритного кристалла одинакова для всех его ветвей. Необходимые условия для развития дендритов у кристаллов, растущих послойно,- большое переохлаждение и плохое перемешивание.

При очень малых скоростях роста кристалла из расплава коэфф. распределения вещества перестаёт зависеть от направления и скорости роста и приближается к равновесному значению, определяемому диаграммой состояния.
 
 

Образование дефектов при К. Реальные кристаллы всегда имеют неоднородное распределение примеси (секториаль-ная, зонарная, карандашная структуры). Примесь меняет параметр решётки, и на границах областей разного состава возникают внутр. напряжения. Это приводит к образованию дислокаций и трещин. Дислокации при К. из расплава возникают и как результат упругих напряжений в неравномерно нагретом кристалле, а также при нарастании более горячих новых слоев на более холодную поверхность. Дислокации могут "наследоваться", переходя из затравки в выращиваемый кристалл.

Посторонние газы, хорошо растворимые в маточной среде, но плохо захватываемые растущим кристаллом, образуют на фронте роста пузырьки, к-рые захватываются кристаллом, если скорость роста превосходит нек-рую критическую. Так же захватываются и посторонние твёрдые частицы из маточной среды, становящиеся затем в кристалле источниками внутр. напряжений.

Массовая К.- одновременный рост множества кристаллов - широко используется в пром-сти. Для получения кристаллов примерно одинаковой величины и формы используются мельчайшие (~0,1 мм) затравочные кристаллы; процесс ведётся в той области темп-р, где новые зародыши самопроизвольно не возникают.

Спонтанное массовое появление зародышей и их рост происходят при затвердевании отливок металлов. Кристаллы зарождаются прежде всего на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливается перегретый металл. Зародыши на стенках ориентированы хаотично, однако в процессе роста "выживают" те из них, у к-рых направление макс. скорости роста перпендикулярно к стенке. В результате у поверхности возникает столбчатая зона, состоящая из почти параллельных узких кристаллов, вытянутых вдоль нормали к поверхности.Конвекционные потоки в расплаве могут обламывать ветви дендритов, поставляя новые затравки. Аналогично действует ультразвук, а также добавление порошков, частицы к-рых служат центрами К., и поверхностно-активных веществ, облегчающих образование зародышей.

Лит.: Шубников А. В., Как растут кристаллы, М. - Л., 1935; его же, Образование кристаллов, М. - Л., 1947; Леммлейн Г. Г., Секториальное строение кристаллов, М. - Л., 1948; Кузнецов В. Д., Кристаллы и кристаллизация, М." 1953; Маллин Дж., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1965; X о в и г м а н Б., Рост и форма кристаллов, пер. с нем., М., 1961; Чернов А. А., Слоисто-спиральный рост кристаллов, "Успехи физических наук", 1961, т. 73, в. 2, с. 277; его же, Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов - статистика проб и ошибок, там же, 1970, т. 100, в. 2, с. 277; Матусевич Л. Н., Кристаллизация из растворов в химической промышленности, М., 1968; Палатник Л. С., Папиров И. И., Эпитакснальные пленки, М., 1971. А. А. Чернов.

 

КРИСТАЛЛИТЫ, мелкие кристаллы, не имеющие ясно выраженной огранённой формы. К. являются кристаллич. зёрна в различных поликристаллич. образованиях: металлических слитках, горных породах, минералах и т. п. (см. Поликристаллы).
 
 

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЁТКА, при сущее веществу в кристаллич. состоянии правильное расположение атомов (ионов, молекул), характеризующееся периодич. повторяемостью в трёх измерениях. Ввиду такой периодичности для описания К. р. достаточно знать размещение атомов в элементарной ячейке, повторением к-рой путём параллельных дискретных переносов (трансляций) образуется вся структура кристалла. В соответствии с симметрией кристалла элементарная ячейка имеет форму косоугольного или прямоугольного параллелепипеда, квадратной или шестиугольной призмы, куба (см. рис.). Размеры рёбер элементарной ячейки а, b, с наз. периодами идентичности.

Математич. схемой К. р., в к-рой остаются лишь геометрич. параметры переносов, но не указывается конкретное размещение атомов в данной структуре, является пространственная решётка. В ней система трансляций, присущих данной К. р., изображается в виде системы точек - узлов. Существует 14 различающихся по симметрии пространственных трансляционных решёток, называемых Браве решётками. К. р. может иметь и дополнит. элементы симметрии - оси, плоскости, центр симметрии. Всего существует 230 пространственных групп симметрии, причём подгруппой, определяющей К. р., обязательно является соответствующая группа переносов (см. Симметрия кристаллов). Существованием К. р. объясняются анизотропия свойств кристаллов, плоская форма их граней, постоянство углов и др. законы геометрич. кристаллографии. Геометрич. измерение кристалла даёт величины углов элементарной ячейки и на основании закона рациональности параметров отношение периодов идентичности. Определение размеров ячеек и размещения в них атомов или молекул, составляющих данную структуру, производится с помощью рентгенографии, нейтронографии или электронографии.

В элементарной ячейке К. р. может размещаться от одного (для химич. элементов) до десятков и сотен (для химических соединений) или тысяч и даже миллионов (белки, вирусы) атомов, в соответствии с чем периоды идентичности составляют от неск. А до сотен и тысяч А. При этом любому атому в данной ячейке соответствует трансляционно равный ему атом в каждой др. ячейке кристалла.

Иногда, если количество атомов того или иного сорта в ячейке невелико и они различаются к.-л. дополнит. качеством, напр. определ. ориентацией магнитного момента, в физике твёрдого тела для их описания вводят понятие подрешёток данной К. р. (см. Магнетизм, Антиферромагнетизм).

Существование К. р. объясняется тем, что равновесие сил притяжения и отталкивания между атомами, дающее минимум потенциальной энергии всей системы, достигается именно при условии трёхмерной периодичности. В простейших случаях это можно интерпретировать геометрически как следствие укладки в кристалле атомов, молекул наиболее плотно друг к другу.

Представление об атомистичности, прерывности К. р. односторонне. В действительности электронные оболочки атомов, объединённых в К. р. химич. связями, перекрываются. Это позволяет рассматривать К. р. как непрерывное периодич. распределение отрицат. заряда, имеющее максимумы около дискретно расположенных ядер.

К. р. не является статич. образованием. Атомы или молекулы, образующие К. р., колеблются около положений равновесия, причём характер колебаний (динамика К. р.) зависит от симметрии, координации атомов, энергии связи. Известны случаи вращения молекул в К. р. С повышением темп-ры колебания частиц усиливаются, что приводит к разрушению К. р. и переходу вещества в жидкоесостояние (см. Колебания кристаллы-уеской решётки).

Реальная структура кристалла всегда отличается от идеальной схемы, описываемой понятием К. р., поскольку, помимо всегда имеющих место тепловых колебаний атомов, трансляционно "равные" атомы могут в действительности отличаться по атомному номеру (изоморфизм), по массе ядра (изотопический изоморфна м). Кроме того, в реальном кристалле всегда имеются различного рода дефекты: примесные атомы, вакансии, дислокации и т. д. (см. Дефекты в кристаллах).

Лит.: Шубников А. В.. Флинт Е. Е., Бокий Г. Б., Основы кристаллографии, М. - Л., 1940; Делоне Б. Н., Александров А., Математические основы структурного анализа кристаллов..., Л. - М., 1934; Белов Н. В., Структура ионных кристаллов и металлических фаз, М., 1947.

Б. К. Вайнштейн, А.А.Гусев.

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ БЛОКИ, области реального кристалла, в к-рых кри-сталлич. решётка имеет не строго одинаковую ориентацию. Размер блоков может колебаться от мкм до неск. см. Блочный характер структуры многих реальных кристаллов обнаруживается, напр., по расщеплению пятен лауэграмм (см. Кристаллы, Рентгеноструктурный анализ).

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СЧЁТЧИК, прибордля регистрации ионизирующих излучений, основанный на появлении под их действием заметной электропроводности у диэлектриков. К. с. представляет собой монокристалл диэлектрика (обычно алмаз или сульфид кадмия CdS), на противоположные грани к-рого нанесены электроды (рис.); к электродам приложена разность потенциалов. По принципу действия это - твердотельная ионизационная камера. Проходя через кристалл, заряженные частицы вызывают в нём ионизацию. Образующиеся в результате ионизации свободные носители заряда - электроны проводимости и дырки - движутся под влиянием электрич. поля к соответствующим электродам. В результате в цепи К. с. течёт ток. Сила тока является мерой интенсивности потока ионизирующего излучения.

Отд. ионизирующая частица вызывает в цепи К. с. кратковременный импульс тока, к-рый после усиления можно зарегистрировать пересчётным прибором или амплитудным анализатором. При этом амплитуда импульса пропорциональна энергии частицы (если её пробег меньше размеров кристалла). Недостаток К. с.- поляризация диэлектрика. Часть носителей заряда при движении к электродам захватывается дефектами кристаллич. решётки. Возникает внутр. электрич. поле, возрастающее по мере облучения кристалла и ослабляющее действие приложенного внеш. поля. Это приводит к уменьшению амплитуды импульсов и к прекращению счёта. Для устранения поляризации применяют нагрев кристалла, его освещение, приложение перемен-

ного поля и т. п. Простота конструкции К. с., его малые размеры (неск. мм3) и способность нек-рых кристаллов (напр., алмаза) работать при высоких темп-рах делают К. с. удобным для отд. применений, напр. в дозиметрических устройствах. Для отд. измерений, требующих анализа энергий частиц, лучшими свойствами обладает другая разновидность твердотельной ионизационной камеры - полупроводниковый спектрометр.

Лит.: Головин Б. М., О с и п е н-к о Б. П., Сидоров А. И., Гомогенные кристаллические счетчики ядерных излучений, "Приборы и техника эксперимента", 1961, № 6, с. 5; Дирнли Д ж. и Нортроп Д. К., Полупроводниковые счетчики ядерных излучений, пер. с англ., М., 1966.

С. Ф. Козлов.
 
 

КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОЛЕ, внутрикристаллическое поле, электрическое поле, существующее внутри кристаллов. Реже К. п. называют также образующееся внутри нек-рых кристаллов магнитное поле. На коротких (порядка межатомных) расстояниях положит. и отрицат. заряды внутри кристалла не компенсируют друг друга и создают электрич. поля. Напряжённость электрич. поля в кристаллах может достигать значений ~ 108 в/см и более.

Понятием К. п. пользуются при расчётах энергетич. спектра парамагнитных ионов в ионных кристаллах и комплексных соединениях. В этом случае электрич. К. п. наз. полем лигандов. К. п. наз. слабым средним или сильным, если энергия взаимодействия электронов парамагнитного иона с К. п. меньше, сравнима или больше энергии спин-орбитального взаимодействия или электро-статич. взаимодействия электронов между собой. Для расчётов К. п. часто пользуются приближением точечных зарядов, когда реальные размеры ионов, атомов или их групп не учитываются и они рассматриваются как точечные заряды или электрические диполи, находящиеся в узлах кристаллической решётки. Потенциал К. п. обладает симметрией, определяющейсясимметрией кристаллов. Величина и симметрия электрич. К. п. в данной точке кристалла зависят от симметрии окружения этой точки и от деформаций в образце, возникающих, напр., под влиянием внеш. воздействий, от наличия примесей, дефектов и электрич. поляризации кристалла. К. п. непрерывно колеблется в небольших пределах относительно своего среднего значения в соответствии с колебаниями кристаллической решётки.

Электрич. К. п. исследуют оптическими и радиоспектроскопическими методами [электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), ядерный магнитный резонанс (ЯМР) и ядерный квадруполъный резонанс (Я КР)]. Для оценки величины и определения локальной симметрии К. п. оптич. методами и методом ЭПР в диамагнитный кристалл (матрицу) часто вводят небольшие количества парамагнитных ионов, к-рые используются в качестве "атомных зондов". Исследование величины и симметрии К. п. позволяет изучить структуру твёрдых тел и энергию взаимодействия ионов с кристаллич. окружением. Такие диамагнитные матрицы с примесью парамагнитных ионов являются основой твердотельных лазеров и квантовых усилителей СВЧ.

Магнитные К. п., значительные по величине, возникают в кристаллах, содержащих парамагнитные ионы и атомы. Различают сверхтонкие и дипольные магнитные К. п. Сверхтонкие поля (105-106 э) обусловлены т. н. сверхтонким взаимодействием магнитных моментов ядер и их электронного окружения и наблюдаются в основном на ядрах магнитных ионов. Диполь-ные магнитные поля создаются в окружающем пространстве парамагнитными ионами как и обычными магнитными диполями. Наибольшие значения дипольных полей 103-104 э, на расстояниях от магнитного иона~10~-8см. Эти значения полей характерны для магнитоупорядоченных кристаллов. В др. случаях магнитные поля быстро флуктуируют под действием тепловых колебаний и их средние значения близки к нулю. Магнитные К. п. в кристаллах исследуются методом ЯМР и с помощью Мёссбауэ-ра эффекта.

Лит.: Бальхаузен К., Введение в теорию поля лигандов, пер. с англ., М.. 1964; Вонсовский С. В., Магнетизм, М., 1971; Туров Е. А., П е т р о в М. П. Ядерный магнитный резонанс в ферро- и ан-тиферро-магнетиках, м., 1969.

М. П. Петров.
 
 

КРИСТАЛЛОГИДРАТЫ, кристаллы, включающие молекулы воды. Многие соли, а также кислоты и основания выпадают из водных растворов в виде К. Типичными К. являются многие природные минералы, напр, гипс CaSO4*2H2O, карналлит MgCl2KCl*6H2O. Кристаллизационная вода обычно может быть удалена нагреванием, при этом разложение К. часто идёт ступенчато; так, медный купорос CuSO4*5H2O (синий) выше 105 оС переходит в CuSО4*3H2O (голубой) и CuSO4*H2O (белый); полное обезвоживание происходит выше 250 °С. Однако нек-рые соединения (напр., BeC2O4*H2O) устойчивы только в форме К. и не могут быть обезвожены без разложения. См. также Вода, Минерал.

КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИНСТИТУТ им. А. В. Шубннкова А.Н СССР, научно-исследовательский ин-т, занимающийся исследованием структуры, физич. свойств и образования кристаллов. Создан в Москве в 1943 на базе Лаборатории кристаллографии АН СССР, организованной в 1938. Основателем и первым директором К. и. был акад. А. В. Шубников; со дня основания К. и. в нём работает акад. Н. В. Белов. С 1962 директор К. и. чл.-корр. АН СССР Б. К. Вайнштейн.

К. и. внёс большой вклад в развитие теории симметрии кристаллов (теория антисимметрии и цветной симметрии), разработку теории структурного анализа кристаллов, создание структурной электронографии, развитие теории рассеяния рентгеновских лучей и электронов в кристаллах, автоматизацию решения структур. В К. и. выполнены исследования и обобщения в области кристаллохимии силикатов, полупроводниковых соединений, структуры биол. макромолекул, изучен ряд оптич., механич., сегнето- и фо-тоэлектрич. свойств кристаллов, проведены исследования реальной структуры кристаллов и работы по теории дислокаций. Открыт электрич. рельеф поверхности кристаллов.

В К. и. выполнены фундаментальные исследования роста кристаллов, в частности открыт спиральный рост, изучено зародышеобразование, развита теория роста и статистич. кинетики кристаллизации. Созданы новые методики синтеза кристаллов. Работы К. и. и его дочернихпредприятий привели к возникновению в стране пром-сти монокристаллов, необходимых для развития радио-, квантовой и полупроводниковой электроники, оптики, акустики, прецизионного приборостроения и т. д. К. п. и его спец. конструкторское бюро разработали и внедрили в пром-сть уникальную кристаллизационную аппаратуру, автоматич. дифрак-тометры и др. приборы.

Ин-т награждён орденом Трудового Красного Знамени (1969). Б.К.Вайнштейн.

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ (от кристаллы и ...графия), наука о кристаллах и кристаллическом состоянии вещества. Изучает симметрию, строение, образование и свойства кристаллов. К. зародилась в древности в связи с наблюдениями над природными кристаллами, имеющими естеств. форму правильных многогранников. К. как самостоят. наука существует с сер. 18 в. В 18-19 вв. К. развивалась в тесной связи с минералогией как дисциплина, устанавливающая закономерности огранки кристаллов (Р. Аюи, 1784). Была развита теория симметрии кристаллов - их внеш. форм (А. В. Гадолин, 1867) и внутр. пространственного строения (Е. С. Фёдоров, 1890; А. Шён-флис, 1891). Совокупность методов описания кристаллов и установленные закономерности составляют содержание геометрической К.

На основе геометрич. К. возникла гипотеза об упорядоченном, трёхмерно-периодическом расположении в кристалле составляющих его частиц, в совр. понимании - атомов и молекул, к-рые образуют кристаллическую решётку. Открытие дифракции рентгеновских лучей в кристаллах экспериментально подтвердило их периодич. решётчатое строение. Первые конкретные рентгенографич. расшифровки атомной структуры кристаллов (NaCl, алмаз, ZnS и др.) были осуществлены начиная с 1913 У. Г. Брэггом и У. Л. Брэггом. Изучение прохождения света через кристаллы (см. Кристаллооптика) позволило сформулировать закономерности анизотропии (неравноценности по направлениям) свойств кристаллов.

Крупный вклад в изучение атомной структуры кристаллов сделан Л. Полин-гом, Д. Кроуфут-Ходжкин, Н. В. Беловым, А. Гинье; в исследование роста кристаллов и их физич. свойств-В. Фох-том, И. Н. Странским, А. В. Шубнико-вым, И. В. Обреимовым.

Совр. К. развивается как одна из областей физики, тесно связанная с химией и минералогией и имеющая широкое тех-нич. применение. Основами её матема-тич. аппарата являются теория групп симметрии кристаллов и тензорное исчисление.

Существует Международный союз кристаллографов, органом к-рого является журнал "Acta Crystallographica". Союз кристаллографов с 1940 издал более 30 томов "Структурного справочника" ("Structure Report"). В СССР издаётся журнал "Кристаллография".

Структурная К. исследует атом-но-молекулярное строение кристаллов с помощью рентгеноструктурного анализа, электронографии, нейтронографии, опирающихся на теорию дифракции волн в кристаллах. Используются также методы оптич. спектроскопии, в том числе инфракрасной спектроскопии, ядерного магнитного резонанса, электронного парамагнитного резонанса и т. д. Изучена кристаллич. структура более 20 тыс. химич. веществ. Законы взаимного расположения атомов и химической связи между ними в кристаллах, их изоморфизма и полиморфизма являются предметом кристаллохимии. Изучение биологических кристаллов позволило определить структуру гигантских молекул белков и нуклеиновых кислот и явилось важным вкладом К. в молекулярную биологию.

Важный раздел К.- теория и экспериментальные исследования процессов зарождения и роста кристаллов. Здесь К. использует общие принципы термодинамики и закономерности фазовых переходов и поверхностных явлений с учётом взаимодействия кристалла со средой, анизотропии свойств и атомно-моле-кулярной структуры кристаллического вещества (см. Кристаллизация). Как самостоят. раздел развивается К. реального кристалла, изучающая разнообразные нарушения идеальной кристаллич. решётки - точечные дефекты, дислокации и др. дефекты в кристаллах, возникающие при росте кристаллов или разнообразных воздействиях на них и определяющие многие их свойства.

Исследования механич., оптич., элект-рич. и магнитных свойств кристаллов являются предметом кристаллофизики, к-рая смыкает К. с физикой твёрдого тела. Для кристаллофизики существенным является рассмотрение свойств кристалла в связи с его симметрией и изменений свойств при внеш. воздействиях. Уникальность свойств мн. кристаллов и их чувствительность к механич. и аку-стич. воздействиям , изменениям темп-ры, чувствительность к электрич. току, электромагнитным полям, различным излучениям и т. п. дали кристаллографич. исследованиям широкий выход в радиотехнику, полупроводниковую электронику и квантовую электронику, технич. оптику и акустику, обработку материалов, приборостроение. В связи с этим возникло и интенсивно развивается произ-во синтетич. кристаллов - кварца, алмаза, германия, кремния, рубина и др.

К. изучает также строение и свойства разнообразных агрегатов из микрокристаллов -поликристаллов, текстур, керамик, а также веществ с атомной упорядоченностью, близкой к кристаллической - жидких кристаллов, полимеров. Симметрийные и структурные закономерности, изучаемые К., находят применение в рассмотрении общих закономерностей строения и свойств конденсированного состояния вещества вообще: аморфных тел и жидкостей, полимеров, биол. макромолекул, надмолекулярных структур и т. п. (обобщённая К.).

Лит.: Шубников А. В., Флинт Е. Е., Бокин Г. Б., Основы кристаллографии, М. - Л., 1940; Попов Г. М., ШафрановскийИ. И., Кристаллография, 4 изд., М., 1964; Белов Н. В., Структурная кристаллография, М., 1951; Бернал Дж. Д., Карлайл С. X., Поля охвата обобщённой кристаллографии. (Обзор). "Кристаллография", 1968, т. 13, № 5; Вайнштейн Б. К., Кристаллография и научно-технический прогресс, там же, 1971, т. 16, в. 2, с. 261.

М. П. Шаскольская.
 
 

"КРИСТАЛЛОГРАФИЯ", научный журнал АН СССР, публикующий статьи по проблемам атомной структуры, роста, свойств кристаллов и др. вопросам кристаллографии. Основан в 1956, издаётся в Москве. Ежегодно выходит один том, состоящий из 6 номеров (выпусков). Тираж устанавливается для каждого номера и колеблется в пределах от 1300 до 1700 экз. С 1957 переводится в США на англ. яз. и выходит под назв. "Soviet Physics Crystallography".
 
 

КРИСТАЛЛОГРАФОВ СОЮ3 Международный (International Union of Cristallography; М КС), научная организация, осуществляющая международное сотрудничество в области кристаллографии, обмен информацией по теории, экспериментальным методам и применению результатов кристаллографич. исследований. М КС организует также комплексные исследования с привлечением мн. лабораторий мира, занимается накоплением и изданием кристаллографич. информации и работает над стандартизацией единиц измерений, номенклатуры и символов, применяемых в кристаллографии. М КС организован в 1947 при участии сов. учёных. В его составе нац. комитеты кристаллографов 30 стран мира (1972). Нац. комитет сов. кристаллографов вошёл в М КС в 1954.

Во главе М КС стоит президент (в 1966- 1969 сов. акад. Н. В. Белов, с 1972- англ, учёный Д. Кроуфут-Ходжкин). Высший орган М КС - Ген. ассамблея - созывается один раз в 3 года. Её решения осуществляет Исполнит. к-т (10 избираемых членов), созываемый ежегодно. Исполнит. к-т создаёт временные и постоянные комиссии по таким вопросам, как кристаллографич. аппаратура, использование ЭВМ в кристаллографич. расчётах, номенклатура, обучение кристаллографии и др. Бюджет М КС составляют членские взносы, вносимые странами-участницами в сумме, зависящей от числа голосов, принадлежащих каждой из них на Ген. ассамблее, а также дотаций ЮНЕСКО.

Одновременно с Ген. ассамблеей М КС созывает междунар. конгрессы кристаллографов; ежегодно при поддержке М КС организуются симпозиумы и др. междунар. встречи кристаллографов. М КС издаёт справочники, таблицы, журналы. Осн. периодич. издание - журн. "Acta Crystallographica" - издаётся с 1948 (с 1968 выходит в 2 сериях). С 1968 начал выходить "Journal of Applied Crystallography". М КС издал более 30 томов "Структурного справочника", содержащего рефераты работ по исследованиям атомной структуры кристаллов ("Structure Report", с 1940). В.И.Симонов.